ZnO纳米结构相关论文
用水热合成法在多孔硅衬底上生长了ZnO纳米结构,制备了ZnO纳米结构/多孔硅复合体系,研究了其结构、形貌以及发光性质.X 射线衍射(X......
微环境中扩散、对流与反应动力学问题在自然界以及工业应用中扮演着重要的角色而被广泛关注。随着空间尺寸的减小，受限空间内各相互......
目前,人们已经实现了采用多种方法制备ZnO纳米结构。然而,实现大规模可控制备高质量的ZnO纳米结构,仍然是一个挑战。本论文,首先利......
通过溶胶-凝胶法制备出不同形貌的ZnO纳米结构.详细研究了退火温度对ZnO纳米结构形貌的影响.结果表明退火温度对ZnO纳米结构的形貌......
氧化锌是一类非常常见的无机材料,因其独特物理性质和稳定的化学性质而被广泛用于半导体工业以及涂料工业.当材料尺寸降低至纳米尺......
采用热蒸发法,以CuO为催化剂在900℃合成了超长的ZnO瓶刷状纳米结构。所得样品通过X射线衍射和扫描电子显微镜进行表征,发现该毛刷......
一维定向排列的ZnO纳米线阵列有着优良的紫外光电特性,是一种近年来备受关注的纳米材料.本文研究了一种以高纯锌粉为原料,采用低压......
本文采用水热法成功制备出了形貌各异的ZnO纳米结构.研究了反应条件对ZnO形貌的影响,并掌握了其生长规律.选取具有较高比表面积的Z......
用水热合成法在多孔硅衬底上生长了ZnO纳米结构,制备了ZnO纳米结构/多孔硅复合体系,研究了其结构、形貌以及发光性质.X 射线衍......
ZnO 由于具有很好的光学性能(室温下,能隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV)[1]而存在众多潜在的应用(发光材料、太阳能电池等)......
ZnO晶体为六方晶系纤锌矿结构,是一种宽禁带直接带隙半导体.由于其在室温下的禁带宽度和激子束缚能则分别高达3.37 eV和60 meV,这......
本论文的研究结果概括如下： 1.SOI衬底上生长的多足状纳米ZnO的光致发光与受激发射采用热蒸发法，在没有催化剂的条件下，在SOI衬底......
光化学合成制备材料相对于热化学和电化学方法具有能耗低，环境污染小，操作简单且安全等优点，引起越来越多的关注。目前己广泛利用光化......
ZnO作为重要的Ⅱ～Ⅵ族半导体纳米材料，具有独特而优异的光电特性和很好的生物相容性，在发光二极管、传感器、光催化、生物医学等领域......
近些年来，大量研究者从事小型气体传感器的研究，特别是有毒气体的探测和污染监控。这些研究工作主要包括新材料、新方法、新原理的发......
ZnO是一种宽禁带半导体材料,在紫外及紫蓝光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光电器件方面具有很大的潜在应用前景.近年来,纳米Z......
利用未采用催化剂的真空热蒸发法合成了不同形貌的硅基ZnO纳米结构,研究了氧分压对纳米ZnO结构及光学性能的影响.研究结果表明氧分......
基于液滴微反应器,通过水热法合成ZnO纳米结构.该芯片集成了多种功能单元,包括用于液滴生成的T形通道,液滴汇合的Y形通道,以及快速......
我们采用溶胶．凝胶法合成了不同形貌的ZnO纳米结构，详细研究了退火温度对ZnO结构和形貌的影响。SEM结果表明在900℃可以合成ZnO纳米......
ZnO本身具有许多优点,其纳米材料对比于其他纳米材料有更大的潜在应用价值, 因此ZnO纳米结构的制备研究一直是近年来国际上研究的......
利用电子束反应蒸发（REBE）技术、多晶ZnO（纯度99．99％）陶瓷靶为原料、在NH3／H2混合气（NH3的体积比2．71％）环境下生长了ZnO纳米结构材料，研究了衬......
利用水热法在p型银硫共掺ZnO（p-ZnO︰（Ag,S））薄膜上生长ZnO纳米结构.通过扫描电子显微镜（SEM）,X射线衍射（XRD）,光致发光谱（PL）及吸收谱研究了p-......
ZnO作为一种典型的透明导电氧化物（Transparent conductive oxide,TCO）材料,具有同氧化铟锡（Indium tin oxide,ITO）相比拟的光电性能,......
纳米结构的ZnO由于具有优异的光、电、磁、声等性能，已经成为光电、化学、催化、压电等领域中聚焦的研究热点之一。不同纳米结构的Z......
为了提高GaN基蓝光LED的光提取效率，本文建立了LED顶面分别铺设ZnO纳米柱和纳米锥结构的两种模型，利用时域有限差分法对两种模型进行......
通过溶胶-凝胶法制备出不同形貌的ZnO纳米结构．详细研究了退火温度对ZnO纳米结构形貌的影响．结果表明退火温度对ZnO纳米结构的形貌有......
通过纯锌粉蒸发,在600-650 ℃无催化条件下成功制备了高质量的梳状ZnO纳米结构.通过扫描电镜(SEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)观察,所......
ZnO作为一种宽禁带氧化物,是目前研究最为广泛的半导体材料,具有很好的光电、压电、铁电、热电等性能。随着纳米技术的发展,ZnO纳......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
石墨烯是碳原子组成的二维六角型呈蜂巢状的单原子层晶体,拥有优异的光电性能、机械性能、高的比表面积、较好的化学稳定性和独特......
氧化锌（ZnO）是一种具有六角纤锌矿结构的金属氧化物半导体材料。作为一种宽带隙，低介电常数，高化学稳定性的多功能材料，其应用领域十分......
利用直流电化学沉积技术，在多孔氧化铝模板内，通过先沉积Zn（OH）2／ZnCO3，然后在300℃下进行热分解，制得了ZnO纳米点阵结构。扫描电镜结果表......
利用未采用催化剂的真空热蒸发法合成了不同形貌的硅基ZnO纳米结构,研究了氧分压对纳米ZnO结构及光学性能的影响。研究结果表明氧......
通过同一次热蒸发实验在三种完全不同的衬底上（石英,铜箔和单晶硅）制备了不同的Zn O纳米结构材料,采用X射线衍射仪,扫描电子显微镜,......
在介绍电池基本理论和共混结构、取向结构不同特点的基础上,综述了近年来这两种不同结构纳米ZnO/聚合物杂化太阳能电池的最新研究......
聚合物太阳能电池(PSCs)以其无污染、低成本、轻质、柔性及易大面积量产等优点成为当今新材料与新能源开发领域中最富活力的热点之......
氧化锌(ZnO)为一种宽带隙氧化物半导体,是极有前途的发光材料。本文基于简单的水溶液法,制备出了分散稳定、量子产率高达76%水溶性......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,是制备半导体发光器和半导体激光器的理......
本文采用射频磁控溅射的方法,在抛光的自支撑金刚石膜生长面生长ZnO薄膜。通过优化生长条件,成功地制备了高c轴取向、低应力的ZnO......
ZnO纳米结构以其优秀的电学、光学等物理性质、广泛的应用以及易于合成等特点而成为国际上半导体纳米材料研究领域的热点之一。尽......
ZnO作为一种直接带隙的宽禁带(室温下禁带宽度为3.37eV)半导体材料,有着高达60meV的激子束缚能,受到科学界的广泛关注。而其中尤以......
能源危机已成为人类面临的主要难题之一。人类目前所利用的能源主要是石油、天然气和煤炭等化石能源。这几种能源的储量在逐年减小......
