【摘 要】
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Bi4TiO12(BIT)薄膜具有优良的介电、铁电、压电和光电特性,且抗辐射性强,不挥发,己广泛地应用于微电子,集成光学和微机械系统(MEMS)等高技术领域。 PZT的制备方法有很多,其中
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Bi4TiO12(BIT)薄膜具有优良的介电、铁电、压电和光电特性,且抗辐射性强,不挥发,己广泛地应用于微电子,集成光学和微机械系统(MEMS)等高技术领域。 PZT的制备方法有很多,其中溶胶一凝胶(Sol-Gel)方法可以和集成电路(IC)光刻工艺相互兼容,处理温度低,有大面积涂敷性能,能精确地控制组分,无需复杂的真空设备,成本低廉,所以对于集成铁电薄膜电容的应用这种方法有很广阔的前景。本文利用溶胶凝胶工艺(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上成功制备了Bi4Ti3O12(BIT)薄膜,并运用了X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜微观结构进行了分析。 同时我们在深入研究了铁电薄膜参数测量原理以及电路失真纠正算法的基础上,完成了薄膜参数测试系统的硬件和软件设计;降低了薄膜的研究费用。根据系统具体的调控需求开发了系统上位机的控制软件,实现了计算机对测试系统的调试与控制。该系统价格低廉,电路简单,大大降低了薄膜的研究费用。它具有如下功能: 1可分别对铁电薄膜的电滞回线和I-V特性曲线进行测量 2.可实现测量电路中漏电流与界面电容效应造成的测量失真纠正. 3利用SCI总线,实现TMS320C30与PC机之间的串口通讯。 4测试波形在PC机实时显示 最后,我们利用设计的测试系统对Bi4Ti3O12(BIT)铁电薄膜的铁电性能以及漏导机制进行了测量及分析。
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