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高电子迁移率晶体管(HEMT)是微波、毫米波通信电路应用中最重要的半导体器件之一.用HEMT制作的低噪声放大器有极好的噪声特性,被广泛地应用在无线通信接收系统前端.该文研究了改善HEMT性能的途径以及2.5GHz低噪声放大器的设计和制作.
GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)及低噪声单片放大器的研究
【摘 要】
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高电子迁移率晶体管(HEMT)是微波、毫米波通信电路应用中最重要的半导体器件之一.用HEMT制作的低噪声放大器有极好的噪声特性,被广泛地应用在无线通信接收系统前端.该文研究
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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中国科学院微电子中心 中国科学院微电子研究所
【发表日期】
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2000年期
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