自21世纪初,随着科技的发展,显示性能得到了不断改进,使得液晶显示朝着大尺寸,高刷新率和高清晰度等方面不断发展。薄膜晶体管技术的不断进步,需要薄膜晶体管具有布线电阻低,RC延迟小的特性。常规的铝工艺已不能满足不断增长的高端产品的需求;铜金属材料的电阻率仅是铝金属材料电阻率的65%,且具有更好的成膜性能,因此铜工艺应运而生。同时,为降低生产成本,需要减少掩模工艺,相比5次光刻工艺（5Mask）,4次光刻工艺（4Mask）步骤相对较少,但是存在高工艺要求。由于铜布线和4Mask工艺同时导入,TFT-LCD面板的开发和生产中出现了新型mura问题,即蓝画面斜纹mura。蓝画面斜纹mura的产生,严重影响产品可靠度。因此,蓝画面斜纹mura的消除,对Cu/Cu 4MASK工艺开发来说是一个亟待解决的重大问题。首先,在TFT-LCD液晶面板设计生产过程中,mura的成因多种多样,需要从设计、制程、材料等多方面进行分析改善。文章从TFT-LCD的基本结构、工作原理出发,通过对工艺制程的改进,为后续mura成因的分析建立了理论基础。其次,针对蓝画面斜纹mura产生的原因,透过现象分析,找出蓝画面斜纹mura发生的规律性。因mura成因复杂,本文提出了通过充放电及按压的方式,对蓝画面斜纹mura的成因进行初步判定。然后对各家斜纹mura的发生现象、原因及对策进行调研,最后通过对工艺关键点进行解析,找出蓝画面斜纹mura的形成原因,为后续蓝画面斜纹mura的消除提供改善方向。再次,文章研究了蓝画面斜纹mura的改善方法,其一,对TFT电性进行改善研究,发现阈值电压增加可以一定程度上降低蓝画面斜纹Mura;其二,对TFT器件背沟道污染进行改善,本文创新性的提出了氧气灰化工艺（O₂ Ashing）,对不同处理时间的样品进行Tof-SIMS分析及可靠度验证,发现处理时间在30 s以上时,可有效改善蓝画面斜纹mura;但其存在小黑点问题,需要对工艺条件再进行持续优化;其三,Cu Stripper材料更换成LTC水系材料对蓝画面斜纹mura亦有改善效果。最后,通过DOE实验验证对O₂ Ashing工艺参数进行优化,兼顾改善蓝画面斜纹和铜氧化导致的小黑点不良问题,得出最佳工艺参数,并推进O₂ Ashing工艺大量应用于现行工厂,实现Cu/Cu 4Mask工艺在国内的首次量产。