【摘 要】
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随着MOSFET的尺寸按比例缩小,为抑制短沟效应栅氧化层厚度不断减小,同时衬底掺杂浓度不断增加.因此沟道表面横向电场越来越强,导致沟道内载流子在垂直于界面方向上的运动发生
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随着MOSFET的尺寸按比例缩小,为抑制短沟效应栅氧化层厚度不断减小,同时衬底掺杂浓度不断增加.因此沟道表面横向电场越来越强,导致沟道内载流子在垂直于界面方向上的运动发生量子化,能级发生分裂,载流子分布明显不同于经典分布,表现出量子力学效应(Quantum Mechanical Effects,QMEs).该文通过考虑MOSFET器件中的量子力学效应,研究量子隧穿电流的计算方法,就其对器件性能的影响和模型方面进行了系统的研究工作.
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