本文主要以典型NMOSFET为对象，采用直接注入法，以微波对MOSFET辐照实验结果为基础，通过ISE-TCAD软件仿真平台，考虑了器件自热效应、载流子雪崩产生效应，建立了其在高功率微波(high power microwave HPM)作用下的二维电热模型，研究其在高功率微波作用下的失效模式和失效机理，建立失效模型。研究内容主要包括：针对栅极注入微波引起器件退化的实验，研究了高功率微波引起器件退化的机理并在TCAD下仿真验证；对栅极注入时引起器件I-V特性曲线形变的现象，讨论了其形变的原因，并提出失效模型，修正了典型MOSFET特性曲线并通过Matlab仿真验证；依据漏极注入微波引起器件烧毁的实验结果，建立了微波引起器件内部温度升高并形成熔丝的物理过程，最后通过软件平台上进行仿真，验证机理的正确性。