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目前,以SiC为衬底的异质外延大多以生长GaN为目的,真正以开发SiC基异质结器件为目的的研发工作还未见广泛报道。随着SiC器件研究的逐渐深入,光控碳化硅器件也渐渐引起人们的研究兴趣.但由于SiC禁带较宽,对可见光和近红外光都不敏感,其光电子学应用受到很大限制。为了开发SiC材料在光电子器件领域的应用。本研究室首次提出用对可见光和近红外光有较强吸收的Si作为光吸收层构成p-Si/n-SiC异质结光电二极管。本文讨论了在SiC衬底上外延Si的实验,重点讨论了Si外延层掺杂浓度的控制方法,探讨了p-Si/n-SiC异质结欧姆接触的制备方法,研究了p-Si/n-SiC异质结暗状态下及光照状态下Ⅰ-Ⅴ特性曲线,初步完成了异质结光电二极管的制备及测试。研究了光电流密度随外延层掺杂浓度变化的关系。用LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)系统在n型6H-SiC (0001)衬底上制备p-Si/n-SiC异质结。p-Si外延层以B2H6作为掺杂源,衬底温度在800-950℃范围内优化。通过B2H6在混气中比例的改变,进行了不同掺杂浓度硅的外延生长,并对全部实验样品进行了导电类型及方块电阻的测试。综合前后实验结果,得出当B、Si原子比在1／12000-17／900之间变化时,硅外延层方块电阻相应地从1.33×105Q／□下降到35Ω／□的实验规律。电学测试表明,p-Si/n-SiC异质结具有明显的整流特性,其最大光电流密度为10mA/cm2,随着外延层掺杂浓度的增大,其光电流密度明显降低,外延层掺杂浓度增大两个数量级后其光电流密度降低至0.01mA/cm2。实验发现在外延层方块电阻为2000Ω／□时能够达到的最大光电流密度为10mA/cm2。提出了通过利用PIN结构来增大光电流密度的方法,同pn结相比,PIN结构光电流密度达到了24mA/cm2。