化学气相沉积法制备MgB<,2>超导薄膜

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【摘要】

：

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)和综合物理化学气相沉积(HPCVD)两种方法在单晶(-Al2O3基片上制备了MgB2超导薄膜。实验分原位法和非原位法两种工艺，原位法是在薄膜沉积过程中直接生成了MgB2超导薄膜；非原位法是先在基片上沉积前驱物B膜，然后将B膜在Mg蒸气中高温退火得到MgB2超导薄膜。采用XRD对薄膜的晶体结构进行了分析，采用SEM、EDX对薄膜进行了表面形貌观察和化学组成分析，用标

【作者】

：

迟振华

【机构】

：

燕山大学

【发表日期】

：

2003年04期

【关键词】

：

MgB2 薄膜原位法非原位法 HFCVD HPCVD

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