作为近几年来半导体领域最具竞争力的材料之一,卤化物钙钛矿受到了广泛的关注。其中,钙钛矿量子点（Quantum dots,QDs）材料由于发光可调、色域宽、色纯度高以及溶液可加工等优点,成为光电器件领域的热点材料。然而,钙钛矿QD的大比表面积以及弱离子键合等特性,使得QD内部和表面容易形成缺陷,不利于高效率发光器件的构筑。其中,红光CsPbI3 QD由于非发光相（黄相）的较低形成能,导致发光相（黑相）在缺陷调控过程中易受到破坏,转变成非发光相。这给红光CsPbI3 QD的缺陷调控造成了巨大的困难。因此,探索CsPbI3 QD的缺陷调控方式,减少其缺陷,提升其发光器件效率,对于CsPbI3 QD的进一步发展和产业化应用有着重大意义。本学位论文以高温热注入法合成的CsPbI3 QD为发光材料,从表面缺陷和体内缺陷两个角度入手进行调控,采用调节纯化手段、添加表面配体以及掺杂的方式调控缺陷,最终获得了高发光效率的CsPbI3 QD及高外量子效率（External quantum efficiency,EQE）的量子点发光二极管（QDs-based light-emitting diodes,QLEDs）。主要研究结果归纳如下:（1）基于纯化调控CsPbI3 QD表面缺陷的研究。由于CsPbI3 QD提纯过程中,不恰当的纯化会在QD表面引入过量缺陷。因此本部分从纯化的两个主要方面（絮凝和分散）入手,调节不同介电常数和极性的絮凝和分散溶剂,减少了纯化对QD表面结构的影响,减少了纯化过程中表面缺陷的引入,使得优化后的CsPbI3 QLED器件在较低的电流注入下实现较强的发光。实现了EQE从1.2%到5.4%,器件电流效率（Current efficiency,CE）从0.02 cd A-1到0.135 cd A-1的提升,器件亮度达到678 cd m-2。（2）基于表面配体调控CsPbI3 QD表面缺陷的研究。由于QD及其表面配体的离子键合特性,QD表面配体以及卤素离子容易缺失造成表面缺陷。因此,本部分基于溶液后处理的方式添加表面配体调控表面缺陷。通过调节表面配体的种类以及添加量,实现了表面缺陷钝化以及电荷注入的平衡,EQE进一步提升到7.8%,CE和器件亮度分别达到0.46 cd A-1以及852 cd m-2。（3）基于锌掺杂调控CsPbI3 QD本体缺陷的研究。由于钙钛矿晶体的结构应变,晶格内部的卤素离子会逸出释放应变,留下空位缺陷。本部分通过小尺寸的Zn离子（74pm）间隙掺杂,抑制了离子迁移,减少了内部点缺陷。根据单空穴器件测试,缺陷密度从4.6*1012 cm-3降低到2.3*1012 cm-3。此外,Zn2+掺杂后的CsPbI3 QD的光致发光量子产率（photoluminescence quantum yield,PLQY）从35%增加到77%。最终,QLED器件EQE实现从7.5%到14.6%的近乎100%的提升,CE也从0.6 cd A-1增加到0.9 cd A-1。