本文利用反应溅射制备了厚度为8nm到100nm的非晶或微晶Al2O3薄膜，并对其多项电学性能对工艺的依赖性作了研究，特别是对样品的时效现象作了比较详细的研究。实验结果表明，适当低的气压和功率容易制备出优质薄膜，即使在8nm厚度时也具有良好的膜层连续性；本文提出一种方案以减少上电极沉积过程中发生的Al2O3膜面损伤，并证明它是有效的。实验过程中，发现不同温区内薄膜的导电机制是不一样的。对于50nm的样品，即使在低场下，也没有观测到Schottky发射电流；从加电压开始，体内的Poole-Frenkel发射便占主导地位。交流电导在100℃时将由浅陷阱跳跃导电向Poole-Frenkel机制转化。时效过程中，因短时测量引起的变化归结于体内亚稳缺陷在微晶晶界处的受阻；长时放置引起的变化来自于缺陷的消失。实验结果表明，样品中稍微过量的氧和游离态铝的存在是时效的根本原因。