本文的工作内容主要分为两部分,一是¹²⁶Cs高自旋态的研究,二是对在束γ谱学实验测量终端的中子防护模拟。¹²⁶Cs高自旋态的研究工作:A¹30核区手征双重带是核结构研究的热点之一,目前已系统性地在Cs、La、Pm、Pr、Eu等同位素中观测到多例基于πh_11/2?νh_11/2组态下的正宇称手征双重带。其中¹³⁴Pr组态为πh_11/2?νh_11/2的晕带及其伴带具有很好的能级简并度,因此曾被认为是最好的手征候选核,但D.Tonev等人测量了¹³⁴Pr双带的寿命,发现双带的形状有很大的差异。J.Timar等人建立了新的正宇称带,并重新指定了¹³⁴Pr中的手征双重带,而不是之前人们认为的πh_11/2?νh_11/2的晕带及伴带。¹³⁴Pr中的这个现象是特例还是该核区奇奇核的普遍现象是值得讨论的,如果是后者,则在该核区内的Cs、La、Pm等同位素中也应该会出现类似的结构,为此我们选取了¹²⁶Cs进行研究。本工作利用融合蒸发反应¹¹⁶Cd(¹⁴N,4n)布居了¹²⁶Cs高自旋态,基于πh_11/2?νh_11/2晕带及其伴带,建立了新的正宇称转动带,通多对转动带各能级的激发能、旋称劈裂、电磁跃迁几率的比较,表明本工作新建立的转动带与πh_11/2?νh_11/2亚晕带有更好的相似性,为此我们重新建议了¹²⁶Cs中的手征双重带,与¹³⁴Pr核的解释方式非常相似。在束实验测量终端的中子防护模拟的结果:在在束实验测量过程中,从靶室蒸发出来的快中子会对分布在靶室周围的HPGe探测器造成辐射损伤,导致分辨率下降而不能满足实验要求,常常对实验工作者带来很大的困扰。本工作设计屏蔽方案,在尽量不影响γ射线探测的前提下屏蔽即将进入探测器的中子,以减少探测器受到的辐射损伤。模拟结果可以屏蔽大部分快中子,虽然也会吸收掉部分γ射线,在实验时可以通过适当增加束流的方式进行补偿。