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薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)是由电极层、半导体层和绝缘层组成的场效应器件。它是组成液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)和有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED)驱动电路的核心部件。目前应用于显示器的开关元件仍为非晶硅TFT、多晶硅TFT等。但是,非晶硅TFT的场效应迁移率低,难以提供足够大的电流驱动OLED发光；多晶硅TFT的制造工艺复杂,成本高,均一性差,难以大面积生产。这些问题严重制约着新一代显示技术AMOLED的发展。近年来,氧化物TFT的研究取得了很大的进展,尤其是透明非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT),它在载流子迁移率、稳定性、均匀性等方面都具有独特的优势,将有望成为下一代显示技术的核心驱动原件。本论文重点研究IGZO-TFT的制备条件以及后处理条件对器件性能的影响。(1)制备了有源层厚度分别为16、33、44nm的IGZO-TFT,研究了有源层厚度对器件电学性能的影响,发现IGZO厚度由16nm增加到44nm时,IGZO-TFT的阈值电压向负方向移动,TFT由增强型逐渐变为耗尽型,这是由于有源层厚度增加,引起电阻减小,导致更多的自由电荷从源极流向漏极；器件的亚阈值摆幅逐渐增大,这是由于陷阱密度增加所引起的；制备的器件电流开关比均高于107；场效应迁移率均高于11cm2V-1s-1.(2)在相同的条件下制备了一组器件,在不同的温度下进行快速退火处理,发现退火温度对IGZO-TFT性能的影响很大。在合适的退火温度下,器件的场效应迁移率和电流开关比均有较大幅度的提高,阈值电压也相应的减小。退火温度为300℃,器件的综合性能最佳。(3)在氧分压分别为4.76%、9.52%和20%条件下制备了非晶IGZO-TFT,讨论了氧分压对TFT电学性能的影响,结果发现随着氧气含量的增加器件的场效应迁移率、电流开关比均降低；闽值电压与亚闽值摆幅均增大。这是因为随着氧气含量的增加,氧空位逐渐被填充,导致载流子浓度降低,有源层逐渐由相对低阻转向高阻状态。(4)制备了以IGZO为源漏电极的TFT,并研究了不同厚度的有源层对器件性能的影响,发现TFT电学性能的变化规律几乎不受电极材料的影响,另外IGZO电极与ITO电极相比并没有比较突出的优势。