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研究Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料中离子注入所引起的组分变化主要包含了以下几方面的内容:一.简要介绍了电子阻止本领,核阻止本领和注入离子射程分布参数的物理概念和计算 方法.二.使用MonteCalor模拟方法对离子注入Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料进行分析.三.利用共振核反应技术,在2×1.7MeV串列加速器上,对Hg<1-x>Cd<,x>Te样品中的F<+>离子的射程 分布进行了分析测量.