碲镉汞相关论文
针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结，并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺......
报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了高质量的p-on-n型双......
高帧频中波制冷红外探测器在机载光电吊舱、红外警戒系统、光电跟踪瞄准系统中有着广泛应用。传统的碲镉汞中波制冷红外探测器在保......
碲镉汞材料为窄禁带半导体，随着工作温度的升高，材料本征载流子浓度会增加，探测器截止波长会变短，暗电流增加等，会导致器件性能降低。碲......
碲镉汞雪崩光电二极管（HgCdTe APD）因其具有高增益、高带宽、高量子效率、低噪声的优良性能，在主动/被动成像、激光雷达、波前传感和......
随着红外技术的进步,红外探测器组件向着更小尺寸、更高分辨率的方向发展.小像元间距、大面阵规格是长波探测器发展的重要方向.通......
碲镉汞红外探测器具有波段覆盖宽、灵敏度高等优越性能,是航天遥感、天文科学等领域的红外探测的首选。随着红外探测与成像的空间......
碲镉汞由于其高量子效率、高工作温度范围、禁带宽度连续可调、电子迁移率高等优点成为高速、高分辨率、高光谱探测应用领域最具竞......
As掺杂HgCdTe薄膜材料在研制高工作温度(HOT)红外探测器方面有着特殊的用途, 能够有效抑制高温下产生的复合电流。富Te液相外延中A......
经过多年的研发工作，制冷型碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)中波红外探测器已经实现了批量化生产能力，其阵列规格也从最初的......
本文简要介绍了 nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程。讨论了 nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理。对比了普通碲镉汞 n......
1994年10月,以色列的S.C.D半导体器件公司(Semi-Conductor Devices)组团参加了在北京国际展览中心举办的国际光电技术讨论会(IOPS......
在激光功率密度为４．０×１０８～５．０×１０９Ｗｃｍ－２的范围内，用冲击摆测量了ＮｄＹＡＧ脉冲激光（波长为１．０６μｍ，脉宽为１０ｎｓ）辐照大气中不同面积的ＨｇＣｄＴｅ样品时的冲量耦合系数。从理论上建立了......
摘要：红外阵列探测器是目前发展最为迅速的红外探测器种类之一,并已广泛应用于军事和民事领域。本文重点阐述具有代表性的几种红外......
窄禁带碲镉汞（HgCdTe）为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于弱p型材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级,更......
讨论了近室温工作的HgCdTe中波光导探测器组件的可靠性问题,包括组件封装失效、引线键合失效和探测器的性能衰减等。通过收集探测......
碲镉汞(HgCdTe)红外探测器制备中的化学-机械抛光工艺会在碲镉汞材料表面形成一定深度的损伤层。用溴-甲醇化学机械抛光取代溴腐蚀......
采用液相外延(LPE)生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试......
在红外成像系统中，串扰会降低图像的清晰度，影响焦平面阵列的分辨率性能和成像质量，因此对串扰的测试及产生机理等研究至关重要。对比......
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二......
用1 064nm皮秒脉冲激光辐照PV型线阵HgCdTe探测器,随着激光能量的增大,探测单元出现了不同程度的损伤,发现了致损单元的反常响应现......
本文介绍了高光谱用中波2048×256红外焦平面探测器组件的研究结果。中波2048×256红外焦平面探测器由单片中波1024×256红外焦平......
半导体材料/器件的带边电子结构、特别是与缺陷相关的杂质能级结构是决定器件光电性能的关键物理参数。基于傅里叶变换红外（FTIR）光......
近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年.文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探......
基于当前红外探测器技术的发展方向,从高工作温度红外探测器应用需求的角度分析了碲镉汞高工作温度红外探测器在组件重量、外形尺......
借助有限元软件分析了原始探测器模块和加入Kovar平衡层探测器模块的应力分布情况,模拟结果表明,增加Kovar平衡层后,探测器HgCdTe......
红外探测器件是现代军用武器装备目标识别的核心构件。碲镉汞(HgCdTe)材料因具有材料禁带宽度可调控、探测波长范围最广等特点,在......
为了提高目标探测距离和实现高温度灵敏度探测,发展长波、大规模的焦平面探测器技术是第三代焦平面的重要技术特征之一。美国RVS等......
介绍了军用红外探测器及制导武器的发展现状和发展趋势。
The development status and development trend of military infrared ......
获得大面积的组成均匀的高质量HgCdTe外延材料是光伏型红外焦平面列阵探测器(FPA)制备的关键问题。HgCdTe液相外延(LPE)制备技术......
本文综述了HgCdTe晶体中的杂质行为,提出了实现杂质控制的可能性。
This article reviews the behavior of impurities in HgCdT......
本文通过超声楔焊过程,理论分析了塑性变形和界面的切向移动是提高焊接质量的两个主要因素,根据上述两方面因素,结合我们目前的多......
提出了一种新的在热平衡状态下实时测量碲镉汞（ＭＣＴ）中特征正电子湮没寿命的方法，用该方法测得ＨｇＣｄＴｅ中基体正电子湮没寿命τｂ为２７７±１Ｐｓ，汞空位缺陷捕获......
原位集成微透镜能够在不改变封装结构的情况下,实现对入射光的汇聚效果,有效提升信号并降低串音,对于中波10μm小间距碲镉汞焦平面......
碲镉汞(MCT)自从问世以来一直是高端红外(IR)探测器领域的首选材料,分子束外延碲镉汞技术具有低成本异质外延、材料能带精准调控、......
经过多年的研发工作,制冷型碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)中波红外探测器已经实现了批量化生产能力,其阵列规格也从最初......
“燕尾”状缺陷是异质外延碲镉汞薄膜中一种形状、朝向统一的典型缺陷,本文对“燕尾”状缺陷的表面形貌、结构及形成机理进行了表......
武汉高德红外股份有限公司成功研制了像元尺寸为12 μm×12μm的1280×1024大面阵碲镉汞中波红外焦平面探测器.在优化提升材料性能......
室温工作将为光子型红外探测开辟更广泛的应用,系统整理和分析了从近红外到长波红外的III–V族及Ⅱ-Ⅵ族半导体探测器的室温性能,......
研究HgCdTe材料中离子注入所引起的组分变化主要包含了以下几方面的内容:一.简要介绍了电子阻止本领,核阻止本领和注入离子射程分......
该文主要从理论及实验上对有关激光辐照的具体问题进行了研究.该文详细的分析了注入和退火样品载流子的作用,指出注入和退火的影响......
近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPAs)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高.要......
基于去衬底对提高碲镉汞(MCT)红外焦平面探测器可靠性的重要意义,本文主要从湿法腐蚀液的选择、腐蚀液配比、腐蚀方式、不同厚......
该论文应用英国RENISHAW公司生产的System2000Raman显微镜分析系统、日本MAC SCIENCE公司生产的18KWHFX射线衍射系统、我们研制的......
碲镉汞材料是用于制作红外探测器的重要半导体材料。随着红外技术的迅速发展,对于碲镉汞材料的电学性质的认识已不能停留在基于经......
