Fe_3Si_8M型块体三元合金及非晶薄膜制备及表征

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研究发现非晶态FeSi2有着与β-FeSi2相似的半导体性能,室温下有0.89~0.90eV的直接带隙。这一发现大大提高了该材料的实际应用价值,具有半导体特性的非晶态FeSi2将有更好的发展前景。本文正是出于非晶态半导体FeSi2良好发展前景的考虑,在分析β-FeSi2结构的基础上进行三元合金化的研究,并对三元合金的相组成以及非晶的形成进行了探讨。采用了真空吸铸、真空甩带的方法分别制备了Fe3Si8M(M=B、Cr、Ni、Cu、Co、Al)三元合金棒和合金薄带样品,研究了基于β-FeSi
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ZnO具有纤锌矿晶体结构,是一种新型的直接带隙宽带半导体,其禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 meV,可以实现室温下的激子发射。ZnO薄膜可在低于600℃的温度下获得,较GaN, SiC和其它Ⅱ—Ⅳ族半导体宽禁带材料的制备温度低很多,这些特点使ZnO具备了作为室温短波长光电子材料的必备特征。因此,ZnO薄膜是一种具有希望的短波光电材料,研究ZnO薄膜的发光特性具有十分重要的意义。ZnO作为
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ZnO是一种在蓝光及紫外光电器件领域极有应用前途的直接带隙宽禁带半导体材料。其室温下激子束缚能为60 meV,禁带宽度为3.37 eV,单晶中的电子霍尔迁移率高达200cm2V-1·s-1。ZnO的优良特性使其成为一种制备室温或更高温度下短波长、低阈值、高效率半导体光电器件的理想材料。目前制约着ZnO在LED、LD领域发展的一个关键因素就是稳定、高质量、可重复的p型ZnO的制备还存在着问题。本论文
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采用低温等离子体技术对高分子膜材料进行改性,是开发新型膜分离材料的重要途径之一。介质阻挡放电(DBD)等离子体技术是一种能够在常压下产生低温等离子体的新兴等离子体技术,具有很好的工业应用前景。本文采用常压DBD接枝填充聚合方法,探索了聚丙烯腈(PAN)超滤膜的表面亲水改性以及制备具有"pore-filling"结构的渗透汽化复合膜的可行性,较为系统地研究了制备参数对膜材料分离性能的影响,并初步探讨
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