分压控制CdZnTe熔体生长和探测器件研究

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作为制作辐射探测器最佳材料的Cd<,1-x>Zn<,x>Te性能的提高已成为当前国际关注热点.半导体材料电学性质主要取决于晶体完整性.晶体中原生缺陷基本为杂质及本征点缺陷,后者与晶体组成对化学计量比偏离程度密切相关.由于固-液-气相的相互平衡,从熔体生长晶体时,汽相组元分压可决定晶体组成对化学计量比的偏离.因此要获得探测器级高阻Cd<,1-x>Zn<,x>Te材料,关键在于原材料的纯度和长晶过程中汽相组元分压的控制.该文在元素提纯的基础上,开展了Cd<,1-x>Zn<,x>Te合成材料的气相输运再提纯研究,进一步降低了杂质浓度,尤其是Fe、Au、Cu、O等有害杂质.
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