颗粒污染在晶圆的生产制造当中是一种严重的缺陷,它可以导致电路开路或者短路。随着器件线宽的越来越小,在亚微米级的工艺技术中,颗粒污染对产品良率的杀伤力越来越大,使器件的稳定性大大降低,导致产品的报废。使得人力,物力,财力的巨大损失。LPCVD工艺可以获得具有良好台阶覆盖能力和高度均匀性的氮化硅薄膜。氮化硅薄膜制备作为集成电路制造工艺中重要的一个步骤,常常被用于浅槽隔离工艺(STI)和保护栅极的spacer的ONO等工艺中。在LPCVD的氮化硅薄膜生产工艺中,由于生产过程中有应力很高的氮化硅薄膜生成,而且薄膜的生产是在压力和温度的不断变化中进行的,所以氮化硅制备工艺是半导体制造工艺中颗粒污染最难控制的工艺。因此,我们有了较大的可研究改进的空间。本文以TEL公司生产的Alpha-8S-E垂直型LPCVD设备作为研究对象,以各设备组成部件和薄膜制备工艺作为研究基础,分析出氮化硅生长工艺的主要颗粒污染的主要来源以及形成机理。提出了450℃purge,定期对反应腔和晶舟进行N2吹拂来优化表面颗粒污染状况；优化后段管路加热带的温度来减缓副产物NH4Cl结晶的生成并通过增大晶舟卸载前的N2流量来防止后段管路内NH4Cl结晶倒灌会反应腔；优化晶舟卸载时的速度、温度和N2流量来阻止晶圆表面NH4Cl结晶的生成等一系列解决方案,从而改善了机台的颗粒污染状况,延长了机台的维护周期,最终达到了优化氮化硅薄膜生长工艺,提升良率,降低生产成本的目的。