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本文主要介绍了通过射频等离子体增强化学气相沉积法,利用SiHH4和Ar作为反应气体,在不同的射频功率条件下进行气相沉积反应,制备出具有良好多晶结构的硅基发光薄膜。并对薄膜的微观形貌、晶态结构、化学成分和光致发光性能进行了表征。通过对反应等离子体发射光谱的诊断,研究射频功率变化对于等离子体成分和各成分相对含量的影响,进而研究SiHH4等离子体相化学反应、等离子体与固相材料的相互作用和等离子体成分、相对含量对于薄膜形貌、结构、结晶性质、化学成分和光致发光性质的影响。我们自行设计了单管式和套管式两