基于毂帽鳍和前置导管的船舶螺旋桨复合节能附体技术研究

来源 :杭州电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sophia_deng
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
长期以来,随着资源匮乏,全球气候上升等问题的出现,国际海事组织对安全、船舶温室气体排放标准进一步提高,推进实施船舶能效设计指数,使得船舶行业面临着再一次的困难与挑战。如何提高船舶的推进效率越来越受到全球船级社与造船厂的重视。螺旋桨节能附体因易安装、低成本、节能效果高等优点被广泛应用于新旧船的改造,并且取得一定的效果。为充分利用螺旋桨周围空间,一般将附体进行复合使用以达到最理想的效果。本文主要针对小型船只所使用的舷外机螺旋桨开展基于毂帽鳍和前置导管的船舶螺旋桨复合节能附体技术研究。本文利用数值计算方法对采用毂帽鳍的螺旋桨水动力性能开展研究分析,分析安装毂帽鳍前后螺旋桨的流场特性及毂帽鳍的节能机理。在此基础上,研究了毂帽鳍的特性参数如半径比、安装角以及鳍片的倾斜角对螺旋桨敞水效率的影响。研究结果表明:毂帽鳍的安装角选择与螺旋桨叶片叶根处的螺距角有关联,最佳角度往往和叶根的螺距角一致。对于鳍片倾斜角而言,在低进速系数时,鳍片无倾斜的方案是节能较好的方案,而在高进速系数时,鳍片向着螺旋桨旋向的方向倾斜会有较好的节能效果。鳍片的半径并非越大越好,需根据螺旋桨的实际工况进行选择。接着对安装前置导管的螺旋桨水动力性能开展研究分析。主要研究了前置导管的节能机理,并考察了前置导管直径、导管攻角两种参数对安装前置导管后螺旋桨敞水效率的影响。结果显示:在低进速系数下,螺旋桨的敞水效率随着前置导管直径的增大而增大,而在高进速系数下,螺旋桨的敞水效率随前置导管直径的增大而减小。当改变前置导管的攻角时,在数值模拟的进速系数范围内,不考率导管自身的影响时,导管攻角越大,螺旋桨敞水效率越大。考虑导管自身影响时,出于导管自身的阻力,螺旋桨的效率比没有节能附体时的效率低,在低流速下有一定的节能效果。最后将毂帽鳍和前置导管中节能效果最优的案例组合安装在螺旋桨上,研究复合型节能附体的节能效果,并讨论前置导管对毂帽鳍的复合作用。结果表明,复合节能附体能够更加有效降低尾流因螺旋桨旋转所导致的能量损失,提升了螺旋桨敞水效率。这对于未来复合节能附体技术在螺旋桨上的应用具有工程指导意义。
其他文献
孤立波是能量的集合体,存在于大量的物体系统之中的一种非线性和色散效应动态平衡而形成的局域波,是非线性科学研究的重要内容之一。由于孤立波具有的高能、高保真与低衰减等特性,在超声内加工领域引入孤立波理论,以提高超声空化的瞬时集聚能量,来满足金属液滴声空化的阈值条件,实现对驻波悬浮环境下的熔融态金属液滴的内加工。因此,孤立波的激发、碰撞和传播进一步深入研究,具有十分重要的实际应用价值。本文以一维颗粒链作
有机高分子材料具有生物亲和性、柔性、易于制备等特点,因此科学家们对此类材料的纳米结构进行了广泛地研究,有机纳米光子结构的机制和原理也日趋成熟。目前,多波段响应、实时、可调控的纳米光子结构与器件已被提上了应用研究日程。但是可调控高分子材料的纳米加工技术有限,一般是无法镀膜、沉积的,因此与无机可调材料相比,高分子结构一般只是通过涂膜、自组装等方式形成大面积薄膜衬底,配合其上的额外结构,实现有限的调控功
近年来,中国老龄人口比例持续的增长,“空巢老人”的独居养老问题突出,加大了社会的压力。智慧的养老模式是新型的信息技术的应用,依托于物联网和大数据的新兴养老模式,也是处理我国养老问题的一种新方向[1]。目前,居家养老大多围绕智能监护主题,而缺少将老人作为智能家居主体的研究,设计符合老年用户需求的智能控制系统。传感器在移动终端、养老设备中部署,老人与居住的环境相互连接,物联网实时的感知老人的体征状况、
学位
随着国家实施科技强国的战略以来,高校实验室扩展迅速,大型实验仪器资产也不断增加。同时也暴露了很多方面的问题:对仪器设备的使用情况,还是大多采用非常低效的纸质人工记录方式,不能实时的进行监测;仪器设备的工作阈值不尽相同,区分各个工作状态较为繁琐,缺乏有效自适应阈值算法;海量仪器设备的电流数据上报容易阻塞网络,影响数据的准确性;仪器闲置率较高,有效工作时间短,仪器重复购进的现象,缺乏有效的共享机制。本
高分辨宽带雷达的距离分辨率远小于目标尺寸,其雷达回波信号被称为目标的一维高分辨距离像(High resolution range profile,HRRP),HRRP往往呈现出多样性和对目标微小变化的敏感性,导致目标的特征难以捕捉与区分,因此提升HRRP识别方法的性能具有重要的意义。传统识别方法中各帧独立建模的理想化思维限制了算法的泛化性,导致了其在小样本、数据集不平衡及低信噪比条件下易出现性能急
碳化硅(SiC)作为第三代的半导体材料因其优良的特性而成为近期研究的热门。在研究碳化硅器件时可以发现金属与半导体的接触质量会直接影响到碳化硅器件的电学特性,影响器件的应用。而如何制备良好的肖特基接触是金属半导体接触的核心问题。近年来部分研究表明,Mo/4H-SiC肖特基接触的界面表现出严重的势垒不均匀性。这是由于金属钼会与半导体界面发生固相反应,从而导致SiC界面不均匀。因此,本文认为应尽量避免金
学位
学位
学位