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采用双离子束溅射技术，通过对由Si、SiO2以及Al、Si和SiO2组成的复合靶的溅射制备出Si-SiO2以及Al-Si-SiO2薄膜。其中铝、硅在薄膜中的含量可分别通过改变靶面上铝、硅所占的表面积来调节。通过对上述薄膜的PL、PLE以及EL的分析，研究了此头薄膜中所存在的缺陷及发光中心，以及结构对发光的影响。着重讨论了掺铝对薄膜电致发光的启动电压、发光强度、发光效率的影响。 用XRD，TEM，XPS等测试手段对薄膜的成分、元素的化学状态、晶体结构以及形貌等进行了分析测试。当薄膜沉积的基片温度较低时，薄膜呈现非晶结构，薄膜中的铝主要是以单质铝的团簇形式存在于非晶的SiOx（X＜2）中，而多余的硅则以单质或低价氧化物的形式存在于膜中。 对薄膜进行了PL和PLE谱的测量。研究了薄膜中的缺陷状态和发光中心。发现了PLE谱与PL谱间的Stokes位移，且对不同PL谱峰其位移也不相同，表明了其发光过程的不同。分析认为至少有两种不同的发光机理同时存在。 对薄膜进行了乩谱的测量。发现了Si-SiO2薄膜和Al-Si-SiO2薄膜均存在很强的峰位在510nm的电致发光（EL）谱峰。我们认为该谱峰来自于SiOx中某种缺陷所形成的发光中心。与不掺铝的Si-SiO2薄膜相比，Al-Si-SiO2薄膜的EL谱的有三大特点：（1）EL谱的启动电压明显下降；（2）样品的发光强度、发光效率均显著增加；（3）而即使在反向电压下也能获得EL的发光谱。结果表明在硅基薄膜中掺入适量的金属（例如：铝），并使其以团簇的形式均匀弥散在薄膜中，有可能既不改变薄膜的发光中心，又可大大提高其发光效率。这为该类发光薄膜走向实用化提供了一条较为实用的途径。