氧化铟（In₂O₃）作为一种N型半导体材料,禁带宽度约为3.55～3.75 e V、具有低电阻率和高催化活性,在气敏元件、光电子、和催化剂等领域有着广泛的应用。目前已经开发出氧化铟多种多样的形貌,如纳米纤维,纳米点,纳米管,纳米片,纳米花等。其中相比于纳米纤维,纳米点等,纳米片在比表面积上拥有更大优势。而半导体的禁带宽度决定了电子跃迁不像导体材料一样容易,因而半导体材料的导电性一直都是一个需要改善的课题。在本篇文章中,先通过化学气相沉积法（CVD）以泡沫镍为模板制得三维石墨烯,随后将氧化铟纳米片阵列以水热合成法生长在三维石墨烯的骨架上。制得的氧化铟纳米片阵列/三维石墨烯复合材料不仅扩大了比表面积,也提升了单一材料的导电性。通过扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）、表面元素分析（XPS）和布鲁诺埃米特泰勒测试（BET）对氧化铟纳米片阵列/三维石墨烯复合材料的结构和形貌进行了表征。从SEM图像看出石墨烯保持了良好的三维多孔结构,孔径约为200μm,氧化铟纳米片阵列均匀生长在石墨烯骨架上,孔径约为0.4μm。结合结构表征进行分析可以确定材料为氧化铟纳米片/三维石墨烯结构。再结合Raman与HR-TEM可以确定制备三维石墨烯的层数。将氧化铟纳米片阵列/三维石墨烯复合材料放置于ITO上,组装三电极系统,通过电化学工作站对多巴胺（DA）进行检测。检测手段主要有循环伏安法（CV）、差分脉冲循环伏安法（DPV）以及在不同水热时间,不同干扰物质下的DPV检测。结果显示在DA浓度为0-60μM时电极的灵敏度为2.69μA·μM^-1·cm^-1,检测限低至0.1μM。UA干扰下检测DA的灵敏度依然能达到2.47μA·μM^-1·cm^-1,证实In₂O₃纳米片阵列/三维石墨烯电极拥有良好的选择性。此外,对于重复性,稳定性以及真实样品中的检测都达到了理想标准,说明此电极有希望应用于临床测试中。