氧空位对锰氧化物EPIR效应的影响

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钙钛矿结构锰氧化物的电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应是目前新型电子信息存储材料的研究热点,基于EPIR效应的电阻式随机非易失性存储器(RRAM)具有其他类型存储器件所不具备的优点。2000年,美国科学家发现钙钛矿结构锰氧化物中存在EPIR效应,对其物理起源和机理目前虽有一些模型,但并没有形成统一认识,仍有不少值得研究的地方。本文采用传统固相反应方法制备Nd0.7Sr0.3MnO3(NSMO)多晶样品,并通过不用气氛处理得到不同氧含量样品,利用粉末X光衍射仪,磁、电测试系统对样品的相组成、结构,磁、电性质,特别对其EPIR进行了测试分析,得到如下结果:1、通过对晶界电阻进行等效,对样品内部晶界串、并联网络进行电学模拟,实验证实Nd0.7Sr0.3MnO3多晶陶瓷块体内的晶界或相界存在Ⅰ-Ⅴ非线性、非欧姆特征,但由于体内界面众多,存在复杂的串、并联连接,经过分压、分流,外加脉冲电压在每个界面降落的电压很小,故不能产生EPIR效应。同时表明NSMO的EPIR效应只可能发生在样品表面与电极相接触的界面处,是一种外禀表面效应。2、NSMO的EPIR效应随测量次数和测量时间增加出现疲劳现象,疲劳程度与刺激电压和刺激时间有关。较大的脉冲幅度虽能产生较强的电阻转变和EPIR值,但同时样品也更容易出现疲劳,其抗疲劳性也越差。实验表明脉冲宽度对样品疲劳性的影响与脉冲幅度类似。3、温度、氧分压对NSMO的EPIR效应具有显著影响,在居里温度附近,样品电阻较大,EPIR效应更为明显。不同氧分压下测试结果表明,EPIR效应与氧有关,低氧压下测量条件下,NSMO的EPIR效应更明显。4、样品中的氧含量对NSMO的EPIR具有重要影响。富氧处理的NSMO样品中氧空位少,电阻很小,且Ⅰ-Ⅴ呈线性,几乎测不出EPIR效应。经真空烧结或在真空中退火的NSMO样品,电阻值增大,Ⅰ-Ⅴ呈非线性,且在电脉冲作用下出现阻值随脉冲极性改变的,比正常烧结的NSMO具有更加显著和稳定的EPIR效应。表明氧空位是NSMO具有EPIR效应的关键因素。
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