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近年来,电阻式随机存储器(Resistive Random Access Memorizer, RRAM)由于结构简单、耗能低、存储密度高以及与半导体CMOS工艺兼容性......
以醋酸盐为原料、采用溶胶-凝胶法制备Nd0.7Ce0.3MnO3薄膜材料,并对Nd0.7Ce0.3MnO3薄膜材料的电脉冲诱导电阻可逆变化(EPIR)效应进行了......
以化学溶液分解法制备La0.7Ca0.3MnO3粉体,常压烧结制备多晶块体样品。对La0.7Ca0.3MnO3样品的磁矩、磁致电阻效应(CMR)和电脉冲诱导......
电脉冲诱发材料电阻可逆变化(EPIR)效应,即对薄膜施加电脉冲可以在室温下观察到体系电阻的可逆变化。利用EPIR效应可以制造新型的基......