利用光能消除有害染料是绿化环境的可行性举措,BiVO₄凭借其独一无二的电子层构造,引起研发人员高度重视。光能除害过程中,消除染料速率的影响力主要包括光能利用,电荷迁移,电荷参与实际应用反应的有效使用量。而半导体材料的外形结构和复合结构可满足提高排除有害杂质效率的上述标准。针对以上问题开展如下实验内容:1)室温下条件下制备BiVO₄/Bi₄V₂O₁₀纳米颗粒,随后,经过溶剂热反应,快速形成BiVO₄/Bi₄V₂O₁₀纳米薄片,然后在多元醇的作用下,纳米薄片自发地组装成多孔异相纳米球,而反应时间的改变会影响晶相的组成成分,最终得到单一BiVO₄材料。2)通过溶液浸渍高粱杆芯、并煅烧过程合成网状BiVO₄。然后,将其与不同量的WCl₆反应,在一步溶剂热中构建不同容量的BiOCl/WO₃的WO₃/BiVO₄/BiOCl三元异质结构,并检测其分解有害物质的能力。研究发现,WCl₆使用量达到12.5wt%时,制备的WO₃/BiVO₄/BiOCl降解有害物质的性能最佳。3)以2)中预先制备的多孔网状BiVO₄为基底,同时利用L-半胱氨酸盐酸盐的Cl元素和S元素,通过简单的一步溶剂热反应构建BiVO₄/Bi₂S₃和BiVO₄/Bi₂S₃/BiOCl复合材料。在拟制太阳光下,三元的BiVO₄/Bi₂S₃/BiOCl对苯酚和RhB的降解能力优于BiVO₄和BiVO₄/Bi₂S₃。