KDP晶体是一种性能优良并且易于长大的非线性光学材料，通常采用水溶液降温法来生长，所以易于对晶体的生长形态和过程进行观察分析，是研究晶体生长的一个理想的模型。本论文通过KDP晶体的生长实验，主要做了以下几个方面的工作：1)介绍了KDP晶体生长溶液亚稳区和诱导期的概念以及相关理论计算，在此基础上进行了KDP晶体溶解度和溶液稳定性实验，测出了不同pH值条件下KDP晶体的溶解度曲线，并对生长溶液的亚稳区和诱导期进行了测量。应用溶液稳定性的相关理论对实验结果做了分析和解释。2)KDP晶体中键的方向和键在晶格中的分布决定了KDP晶体的理想外形，而且也直接关系着各种生长条件和杂质对其生长习性的影响。本文通过在不同的pH值溶液中进行KDP晶体生长实验，讨论了pH值对KDP晶体生长习性的影响机理，在不引入任何添加剂的情况下，通过调节生长溶液的pH值实现了KDP晶体的三维生长；通过观察比较KDP晶体在乙酸和乙醇溶液中的结晶形貌，分析了乙酸对KDP结晶习性的影响机理。3)应用化学腐蚀法对KDP晶体中的位错进行了研究，利用光学显微镜对KDP晶体样品表面位错蚀坑的分布和密度做了观察分析，发现位错蚀坑大部分成直线分布。生长溶液的pH值对KDP晶体位错密度有较大影响，比较了在不同pH值条件下生长出的KDP晶体中的位错分布和密度。结果表明低pH值条件下生长出的KDP晶体位错密度比较大。对取自不同位错密度区域的晶体样品进行了透过率测试，发现位错密度的高低对KDP晶体的透过率影响不大。