虽然利用量子相干可以消除半导体太阳能电池中单能级电子空穴对的复合,但对太阳能谱利用带宽非常有限。理论上采用分光镜分离太阳光光谱的办法,将不同能量的光子分配到不同太阳能电池中半导体材料中的电子所吸收,各电子跃迁到激发态后,动能就为零,从而消除热损失。但这种办法需要复杂的分光系统,吸收每个不同能量的光子都需要一个相应的硅晶板,使得太阳能电池结构复杂、制造成本成倍上升,并且由于这种排列的太阳能各子电池吸收的带隙不同,会出现多个不同的路端电压,需要去妥善处理,也会增加电池的结构复杂程度和制造成本,不利于太阳能电池的应用。为了提高太阳能谱的利用带宽,消除复合,和减小热损失,我们提出了一个新的简单可行的理论方案。通过成热的半导体掺杂工艺,在半导体导带和价带之间形成恰当的两个中间能级,价带上的电子可吸收高能光子直接跃迁到导带,也可吸收低能光子跃迁到中间能级,二次吸收低能光子再跃迁到导带上。这样创造了更多吸收太阳能谱的通道,达到扩展太阳光谱利用带宽的目的,同时分别对导带和中间双能级态施加两个驱动场,可完全消除所有复合。我们发现了,完全消除复合的导带上驱动能级之间的相位关系φ1=0和中间驱动能级之间的相位关系条件,以及中间能态出现的位置条件(?)=(?)+(?)-1。因此我们方案的提出,增加了太阳能谱的利用带宽,抑制了复合,消除了热损失,同时可以避免太阳能电池结构复杂化,也不会造成制造成本明显上升,而太阳能电池光电转换效率将大大提高,对太阳能电池的发展有一定的指导意义。