2004年,英国曼彻斯特大学的物理学家安德烈·海姆(AndreGeim)和康斯坦丁·诺沃肖洛夫(Konstantin Novoselov)利用机械剥离的方法,从极为普通的石墨中发现了“宝藏”,研究发现这个“宝藏”是石墨的产物——二维材料石墨烯,至此拉开了全球范围内对二维纳米材料研究的大幕。第Ⅳ主族金属硫族化合物同样隶属于二维材料的团队。目前,对于第Ⅳ主族金属硫族化合物的研究发现,由于其具有优异的光电性质,因此能够广泛的应用在太阳能电池、光探测器和新型存储器件等领域。其中一硒化锡和二硒化锡作为典型的第Ⅳ主族金属硫族化合物,其同样具有优异光学和电学性质,因此引起了广泛的关注。基于此,我们针对一硒化锡和二硒化锡两种二维材料的制备,形貌表征和光响应性能开展了一系列的研究,取得如下主要创新性成果:1、采取化学气相沉积的方法,实现在氧化硅衬底表面同时生长一硒化锡薄膜和二硒化锡薄膜。实验过程中通过控制温度(加热温度和衬底温度)、炉内压强载气氛围和载气流速等生长条件,成功制备出一硒化锡薄膜和二硒化锡薄膜。2、对制备得到的一硒化锡薄膜和二硒化锡薄膜进行形貌与结构表征。采取一系列的表征手段,对制备得到的一硒化锡薄膜、二硒化锡薄膜进行形貌、微观结构及物相分析。3、分别利用氧化硅衬底表面生长出的一硒化锡薄膜、二硒化锡薄膜构建了两种简易光探测器,并测试其光响应性能。实验中分别测试了光探测器的电流-电压特性和光开关特性。实验结果表明:一硒化锡薄膜和二硒化锡薄膜在整个光谱范围内均有良好的响应,并且响应速度快,稳定性好。