低压直流固态断路器用SiC MOSFET温度特性及快速可靠关断技术研究

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作为分布式新能源更高效率的接入形式的直流微电网技术,对实现能源可持续发展和推进节能减排具有重要意义。然而,保护技术的缺乏限制了直流微电网的应用。固态断路器能够快速切断线路故障、结构简单、无弧动作、性能可靠,并可以将短路电流限制在较低水平,是直流微电网保护技术未来的发展方向。目前基于硅(Silicon,Si)功率器件的直流固态断路器通态损耗高、器件工作结温低、耐受电压低、性能受温度影响显著,限制了固态断路器的进一步推广。碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率器件具有低损耗、高耐压、高工作
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