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GaN材料物理性质化学性质非常稳定，并具有很高的饱和电子漂移速度，高击穿场强，高热导率等制备器件所必须的优良特性。所以在制造蓝光，绿光，紫外LED，太阳能电池，大功率电子器件和激光器中具有很大的应用潜力而得到广泛的关注。GaN的纳米线，纳米柱，纳米网可以制造纳米激光，场效应晶体管，LED,场发射器等纳米级电子器件并且纳米级的材料具有量子限域效应和使应力得到释放的特点，可以提高器件的性能。纳米压印光刻技术（Nano-imprint Lithography）这一新兴纳米加工技术是由美国科学家周郁结合中国古代的活字印刷术原理于1995年提出的，因此周郁被称为纳米压印的鼻祖。其原理是将已制备好的模板压到均匀旋涂有压印胶（高分子聚合物）的衬底上通过复印的方式得到图案结构，该技术能制备的最小结构图案与所能制备的模板图案最小尺寸（Critical Dimension）相关，完全不受光学纳米加工中光衍射的影响，纳米压印技术目前能够制备最小为3nm的图案结构。本文采用目前国际先进的材料制备方法分子束外延（MBE）和纳米压印相结合的手段首次在纳米压印后的GaN图形衬底上制备了形貌整齐均匀，晶体质量好的GaN纳米柱。对于接下来应用于太阳能电池，LED，纳米探测器等器件提供优良的材料支持。本文的只要工作有：（1）使用纳米压印的方法得到GaN纳米柱图形化衬底（PS），通过调节反应离子刻蚀（RIE）的时间得到高度不同形貌不同的纳米柱图形化衬底（PS）。（2）MBE同质外延生长GaN纳米柱，通过改变ⅤⅢ比发现纳米柱的形貌随ⅤⅢ比的改变有非常大的差异，纳米柱的形貌随ⅤⅢ的增大由圆柱形逐渐变为纤锌矿结构的正六边形。借助扫描电子显微镜（SEM）和光致发光（PL）等测试和表征手段分析得出了MBE外延图形化衬底生长GaN纳米柱最优ⅤⅢ比。（3）首次长出了GaN纳米花，分析了MBE制备GaN纳米柱过程中的生长动力学问题。