【摘 要】
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Si基光探测器在工业、军事、环境监测、生物科学与医疗等领域,有着重要价值。然而,Si基材料的间接带隙属性造成其光学效率低、带宽窄,进而导致室温Si基光探测器的信噪比较大、光响应率较低,严重制约了Si基光探测器的发展。相较于传统Si基材料,Ge Sn合金材料因其带隙可调控的特性可极大提高Si基材料的光学效率和带宽。然而,Sn在Ge中极低的固溶度使得制备出高组分、高结晶度的Ge Sn合金仍存在一定的困
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Si基光探测器在工业、军事、环境监测、生物科学与医疗等领域,有着重要价值。然而,Si基材料的间接带隙属性造成其光学效率低、带宽窄,进而导致室温Si基光探测器的信噪比较大、光响应率较低,严重制约了Si基光探测器的发展。相较于传统Si基材料,Ge Sn合金材料因其带隙可调控的特性可极大提高Si基材料的光学效率和带宽。然而,Sn在Ge中极低的固溶度使得制备出高组分、高结晶度的Ge Sn合金仍存在一定的困难。借助SiO2包覆Ge Sn纳米晶的方式,可提高Sn在Ge中的固溶度,制备出高组分Ge Sn纳米晶,结合组分与纳米尺寸效应对能带的共同调节作用,有望实现更高效的光电器件。因此,本文采用磁控溅射的方法对硅基Ge1-xSnx合金纳米团簇进行制备,研究其光电探测性能。本论文的主要研究内容与结果如下:(1)采用了射频共溅射方法制备Ge1-xSnx-SiO2复合薄膜。把Ge片、Sn片贴在SiO2靶材上,利用射频(Radio Frequency,RF)溅射的方法同时溅射Ge、Sn和SiO2形成Ge Sn-SiO2薄膜,并在不同温度下退火,形成SiO2包覆的Ge1-xSnx纳米晶体(Ge1-xSnx nano-crystals,Ge1-xSnxNCs)。然后,通过改变Sn片的贴片数量来控制Ge1-xSnxNCs中Sn的组分,并研究了退火温度对样品组分的影响。最后,用扫描电子显微镜、原子力显微镜等工具研究了样品的微结构。在50 W的溅射功率、300℃的溅射温度、450℃下进行退火处理的Ge1-xSnx-SiO2复合薄膜中得到了高度结晶、高组分的Ge1-xSnxNCs,其Sn组分约为18.3%。(2)构建了ITO/Ge1-xSnx-SiO2/N+-SiMIS(Metal-Insulator-Semiconductor,MIS)结构的光电探测器,分别研究了不同溅射功率和退火温度下器件的光响应情况与发生机理。在溅射功率为50 W、溅射温度为300℃、退火为450℃的条件下获得的器件性能较优。其在1 V偏压下运行稳定,且响应时间短:21.2/16.8 ms;532 nm激光照射下的开关比、响应度和探测率分别高达8.50×10~4、4.3×10-3(A/W)和2.49×10~9 Jones。
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