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二维过渡金属硫化物(TMDCs)是一种具有与石墨烯相似层状结构的材料,由于其独特的物理特性和在传感器及纳米光电方面的应用潜力,这种材料已经吸引了学术界的广泛兴趣。目前,人们对石墨烯,MoS2和WS2等二维材料的研究已经取得了一定的进展。然而,作为一种典型的二维过渡金属硫化物,类石墨烯层片结构的WS2光电特性还有待进一步的研究。本文我们利用简单易操作的微机械剥离法,制备了高质量的二维锑烯,并研究了锑烯的电学稳定性。同时,利用化学气相沉积法(APCVD),成功制备出大面积的单层三角形WS2单晶与MoS2薄膜,并在薄膜上面旋涂CsPbBr3制成MoS2/CsPbBr3异质结器件。利用微机械剥离法在SiO2/Si(二氧化硅厚度为300nm)衬底上成功制备了高质量的锑烯(Sb),并对样品进行了一系列的形貌、物相、结构与性能表征。测试结果显示在空气中两个月后,锑烯器件的电学性能没有发生太大的变化(电阻率ΔR≈4Ω)。利用化学气相沉积法成功制备出大面积的单层三角形WS2单晶。AFM表征发现,其厚度约为0.8nm,是单层膜。XPS分析发现,W在结合能为31.8eV和33.9eV处有两个主峰,同时在37.5eV也存在一个微弱的峰,这源于W-O键的存在。本文研究了 WS2的生长制备工艺条件,发现最佳制备条件为衬底温度850℃,WO3的温度1000℃,S的温度120℃,H2流量20sccm,Ar流量80sccm。同时还研究了 WS2的光电特性,发现在20μW/cm2的光照下,响应度可达0.33A/W,探测率为1.05×1010Jones。用低压化学气相沉积法制备MoS2,并在上面旋涂CsPbBr3以制备MoS2/CsPbBr3异质结器件。通过对材料的微观结构和光学性能的表征发现,制备的MoS2厚度约为0.8nm,CsPbBr3在15.368°和30.716°处有衍射峰,表明CsPbBr3结晶度高;通过测量变温荧光光谱,可以发现,随着温度升高(17K-300K),MoS2/CsPbBr3的PL峰位置从550nm移至525nm,并伴随PL强度的降低。但总体上CsPbBr3的PL强度大于MoS2/CsPbBr3的PL强度;通过PL光谱拟合激子束缚能,计算得到其数值分别为40.5meV(MoS2/CsPbBr3)与72.4meV(CsPbBr3)。MoS2/CsPbBr3异质结具有灵敏度高(最高为4.4A/W)、量子效率高(最高为302%)、开关比大(最高>103)以及响应时间短(上升时间0.72ms,下降时间1.01ms),表现出在光电子探测器方面的巨大应用潜力。