正电子与原子分子碰撞电离中的动态屏蔽效应

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正电子与物质的相互作用是原子物理学领域的一个基础问题,同时正电子在材料科学、信息科学以及航天科学等领域起到关键的作用。正电子与原子的相互作用已经研究的比较多。在实验方面,国外一些实验室已经对原子的单电离和双电离截面进行了测量。在理论方面,主要通过量子力学波函数和经典力学的方法计算了正电子与原子的单电离截面,双电离截面计算的比较少,这是由于原子的单电离容易描述,但后续多重电子电离的物理过程还不是很清楚,一般研究的是阈值附近,或者计算某一能量点的双电离微分截面。本工作以COBI的经典过垒模型为基础,通过考虑靶外电子对原子核的屏蔽作用来计算正电子在原子的屏蔽势场中的运动轨迹,将正电子与原子相互作用发生单电离的过程认为是正电子被一个受到屏蔽的原子核散射的过程。原子的多重电离是递次过程,在双电离当中,由于第一个电子被电离,这个电子就失去了对原子核的屏蔽作用,此时的作用势发生了变化,可以认为原子中第二个电子的电离是受到屏蔽的正电子被剩余的离子(原子失去电子之后)散射的过程。通过上述处理方法,我们计算了正电子碰撞氦原子的单、双电离截面,与实验结果符合很好,并且发现正是由于第二电离时正电子受到强烈的库仑排斥而导致中低速正电子碰撞氦原子的双电离过程受到强烈的抑制。本工作中首先计算了正电子与原子、离子的相互作用,包括正电子与氢原子、氦原子、氖原子以及He+离子的单电离截面、与氦原子的双电离截面。计算的电离截面在0到6个玻尔速度之间与实验结果符合的很好,说明COBI模型可以很好地用来描述正电子与原子碰撞的单电离过程。为了研究正电子和质子与原子相互作用的相似性和不同性,分别计算发生电离时正电子和质子被散射到不同散射角的几率,观察到正电子在低速时受到强一些的库仑排斥,导致截面比较小,但在高速时,正电子运动轨迹接近直线,与质子相似,因此两者截面渐渐重合。文中分别对比了正电子碰撞氦原子发生单、双电离时散射到不同散射角的几率图,发现双电离在低速时的散射角非常大,说明低速时正电子的双电离受到强烈的抑制。最后,尝试计算了正电子与氢分子的单电离截面,结果与实验数据符合较好。
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