基准是电路中的标尺,基准源的精度和性能决定着整个系统的功能和性能的实现。近年来,随着集成电路的特征尺寸不断减小,芯片的供电电压和功耗不断降低,对基准源的性能要求也越来越高。对于一个合格的高性能基准源,低温度系数是最基础也是最重要的技术指标。本文介绍了基准源设计的发展过程和基本的基准源电路结构,研究了基准源设计中所要求的达到的基本性能,其中着重讨论了基准源的温度补偿原理和方法,分析对比了几种常见的高阶补偿策略。论文设计了一个高精度BiCMOS带隙基准电压源,并基于ASMC 0.35um BiCMOS工艺进行电路仿真。采用一阶温度补偿的电流求和模式时,基准源温度系数为35ppm/℃,低频时的电源电压抑制比为98.8dB,并且具有较好的电源电压调整率。采用高阶温度补偿模式时,利用电阻的温度特性法进行高阶补偿后,温度系数达到14ppm/℃,低频时的电源电压抑制比为245dB,基准源的温度性能得到了很大的提高。论文所设计的基准源版图有效面积为824~*322um~2,适用于各种混合信号集成系统。