BST薄膜由于具有良好的铁电、介电、热释电效应及无铅绿色环保性，在动态随机存储器DRAM、非挥发性存储器FeRAM、非制冷红外传感器UFPA等铁电集成器件这一高新技术领域有重要的作用。铁电集成器件的应用，不仅要求一定的膜厚，而且需要特定的图形，因此，适应特定铁电器件膜厚和图形需求的图形化薄膜的制备技术，对于铁电器件的发展具有重要的理论意义和实用价值。　　本课题针对DRAM、UFPA和FeRAM等器件应用的典型膜厚需求，在化学修饰的溶胶-凝胶工艺的基础上，采用直接感光法单次制备得到了介电性能良好的BST图形化厚膜，研究结论如下:　　(1)以乙酸钡、氯化锶、钛酸丁酯为出发原料，以水与乙二醇甲醚为溶剂，以丙烯酸、乙酰丙酮为化学修饰剂，可以合成具有紫外感光特性的高浓度的水基BST溶胶，溶胶浓度约为1.8mol/L;溶胶及凝胶薄膜的紫外敏感波长在224nm～324nm的宽的波长范围内，具有良好的稳定性和感光性。　　(2)通过Ba2+∶MeOH=1∶3.75(摩尔比)稀释后的溶胶可以单次制备厚度为1.65μm结晶状况良好的厚膜;在本实验室条件下膜厚可在0.45μm～1.65μm的范围内可调。　　(3)采用直接感光法，结合缓慢升温、随炉冷却的连续热处理工艺，可以得到致密的BST钙钛矿相图形薄膜;对比试验结果表明:单次提拉直接制备介电性能良好的BST图形化薄膜是可行性的，其介电常数约为620，介电损耗约为0.5，剩余极化强度为1.69μC/cm2～2.72μC/cm2，矫顽场强为6.84kV/cm～12.18 kV/cm。