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同步辐射软X射线(50-2000eV)能区覆盖了所有和磁性相关的元素的某些吸收边，如3d过渡金属的L2，3边，稀土金属的M4，5边和锕系金属的N4，5边，这些吸收边对应的跃迁末态和这些元素的磁性关系密切，所以软X射线对于磁性的研究具有重要意义。而不同偏振状态的光子可以激发不同的跃迁形式，利用光子的偏振特性，可以得到更多的关于跃迁模态的电子结构信息，进而得到元素和磁有关的信息。所以需要对光源的偏振特性尤其是其在空间角度的分布情况进行研究，并对其偏振状态进行调制，得到测试实验所需要的偏振光。
本文主要开展对北京同步辐射装置(BSRF)3W1B束线的光源偏振特性的空间分布的研究以及偏振光学元件的性能测试，并利用软X射线对ZnO和In2O3基稀磁半导体进行了吸收谱研究，展示了软X射线对物质电子态研究的重要作用，具体包括以下几个方面：⑴改进了传统的偏振分析的模型，考虑了光轴和系统转轴不重合后造成的误差，使得对对称性不好的实验数据的拟合精度大为提高，并用改进的模型对实验仪器的姿态进行了细致研究，使得对光路的调试更加有效，精度显著提高。⑵利用W/B4C多层膜偏振元件分析了在铁的L边附近(704eV)光源偏振在垂直方向的分布，为以后在过渡金属的L边开展磁二色性实验以及共振磁散射实验奠定基础。⑶利用Mo/Si多层膜透射偏振元件(相移片)对90eV左右的同步辐射光的偏振状态进行了研究，获得圆偏振光的成分，并对相移片的相移特性进行了表征。⑷对Co掺杂的ZnO稀磁半导体进行了研究。给出了退火处理以及改变掺杂浓度对电子结构产生的影响的结果，并尝试对研究体系的磁性来源进行了解释。⑸对Fe、Cu共掺杂的In2O3稀磁半导体进行了软X射线吸收谱研究，获得了Fe元素在其中的存在形态及其作用。并解释了所研究体系的磁性来源。