本文介绍CdGd2(WO4)4-δ单晶的生长,以及对该晶体的结构和磁性的研究。晶体生长采用提拉法生长工艺,生长条件为:生长速度为0.84mm/h;旋转速度为40rpm;温度梯度为46.0～47.00C/cm;降温速度为320C/h。XRD 分析得出晶体属于四方晶系,体心四方格子,晶格常数为a = b = 0.5203nm, c = 1.1359nm。通过排水法测定所生长晶体的密度为ρ= 7.668 g /cm3。由紫外-可见光区的透射谱分析得出,晶体是间接带隙宽禁带半导体,与直接跃迁相对应的能带隙为3.78ev,与间接跃迁相对应的能带隙为3.63ev,参与间接跃迁的声子能量为0.095ev。对晶体的Raman 谱进行了分析,原子基团WO4的振动为:925,818,777cm-1处为伸缩振动;404 cm-1处为非对称弯曲振动;328cm-1处为对称弯曲振动。205 和152cm-1 处的振动为阳离子的转动模式。晶体的直流磁性实验测量(σ-T 和σ-H)和电子自旋共振(ESR)实验显示出晶体具有朗之万顺磁性,但又具有磁各向异性。晶体的磁各向异性体现了晶体的结构特征。室温下,平行c 轴和垂直c 轴的直流磁化率分别为: χ= 3.5018 ×10?3, χ⊥= 3.4403 ×10?2 。分别用两种方法对电子顺磁共振实验进行了分析,一种是有效磁场描述,计算了各向异性场BK = 0.070(T);另一种是用朗德因子g 张量来描述,,分析得出体现各向异性特征的[g2]为: 由此得出了各不同角度时的g有效。各向异性场BK和g有效的实验分析结果和理论分析结果相符合。