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在单晶硅Si(100)上用LaNiO3 (LNO)作为缓冲层,采用化学沉积法制备Bi3.15La0.85Ti3O12 (BLT)薄膜。样品分别在600℃下氧气和氮气气氛中退火。X射线衍射结果显示,在氧气气氛下,薄膜呈现纯的钙钛矿相,并呈混合取向生长。表面形貌结果显示,样品的晶粒直径大概是50 nm。在氧气和氮气中退火,BLT的剩余极化和矫顽场分别为54.32 μC/cm2和30.46 kV/cm,42.74 μC/cm2和43.35 kV/cm.在相同的电压下,在氧气中退火的样品,漏电流比在氮气中的低一个数量级。在单晶硅以及添加LNO缓冲层的样品中发现,薄膜的饱和磁化强度分别为0.057 emu/cm3和0.112 emu/cm3,由此可见LNO缓冲层可以增强薄膜的磁性能。采用化学沉积法将Ni0.5Zn0.5Fe2O4 (NZFO)薄膜生长在单晶硅衬底上,并以LaNiO3(LNO)作为缓冲层。制备的样品在600℃下分别采用氧气和氮气气氛退火。X射线衍射结果显示,在氧气氛下,样品呈混合取向生长,而在氮气气氛下,样品沿a轴取向生长。场发射扫描电镜显示,在不同的气氛下,晶粒的大小基本没有变化,大约为20nm。铁电性能测试结果是在氧气和氮气中退火,样品的剩余极化分别是22.212 μC/cm2和82.34 μC/cm3,。样品的取向生长,氧空位以及由于铁酸锌镍薄膜和镍酸镧的热膨胀系数不同而造成的应力应变,使得薄膜的铁电性能得以增强。磁性能测试结果显示在氧气氛下,样品的饱和磁化强度是0.767 emu/cm3,而在氮气气氛下,饱和磁化强度减小。在低电场作用下(E<300 kV/cm),漏电流的主导机制是欧姆机制和肖特基机制,在高电场作用下(E>300 kV/cm),是空间电荷限制电流机制起主要作用。采用化学沉积法,在单晶硅上分别制备Bi4Ti3O12 (BiT)和Bi2Ti2O7 (BTO)薄膜。样品在600℃氧气氛中退火。并研究了样品的相结构,表面形貌,铁电性能,磁性能,Ⅰ-Ⅴ特性以及抗疲劳特性。XRD结果显示,薄膜均呈现混合取向。原子力显微镜结果显示薄膜的平均粗糙度为18 nm。BiT和BTO薄膜的剩余极化大约分别为15 μC/cm2。和10 μC/cm2。与BTO薄膜相比,BiT薄膜有较低的漏电流和较好的抗疲劳特性,并首次发现室温下,在BiT和BTO薄膜中存在磁性能。采用共沉淀法制备了NixZn1-xFe2O4 (NZFO, x=0.2,0.3,0.4和0.5)陶瓷,并研究成分对介电性能的影响。X射线衍射结果显示样品呈现了完美的尖晶石相,随着镍含量的增多,晶格点阵参数减小。在频率1到100 kHz频率下测介电常数随温度的变化关系。随着频率增大,介电常数的最高值变得更为宽阔,并且峰值向高温方向移动,这就证实了弛豫现象的存在。通过计算,在不同的温度区域,有两个活化能值,分别为0.96和0.43 eV。Cole-Cole图呈现一个半圆,属于非理想德拜弛豫。随着镍含量的增大,晶界电阻增大。根据修正后的居里外斯定律我们得到的弥散相变从1.66到2.02逐渐增大。此外,我们采用化学沉积法制备了PbTiO3(PTO), PbZr0.53Ti0.47O3(PZT)和SrTiO3(STO)薄膜。研究了薄膜的表面形貌,铁电性能和磁性能。首次发现室温下在PTO,PZT和STO薄膜中存在磁性能。我们还发现不同的退火气氛,不同的衬底以及缓冲层影响BLT薄膜的磁性能。