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本文对一种具有新型耐压层结构的IGBT做了详细论述。新结构用三重扩散的方法在n~-单晶片上引入了n~+缓冲层，仍然保留了NPT-IGBT中薄而轻掺杂p层和高载流子寿命的本质优点，同时又具有PT-IGBT中n~-／(n~+)双层复合的薄耐压层(即薄基区)的优点。它不是现有的NPT型，也不是现有的PT型。命名为：低功耗IGBT(LOW POWER LOSS IGBT——LPL—IGBT)。仿真结果和实际的样管制造结果均证实了这种新结构IGBT的优越性。它的总损耗(通态损耗与开关损耗之和)低于现有NPT-IGBT，而其余性能(耐压、电流密度、安全工作区、抗过流、过压能力等)和制造成本与现有NPT-IGBT相同。它将IGBT的性能推向了一个新的水平，具有更大的应用潜力。在功率开关器件这个大家庭里，IGBT的地位将更加显赫。