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Mg2Si是一种具有间接带隙的半导体材料,其原料贮备丰富,且环境友好,极富应用前景。它的吸收带边位于0.74 eV左右(波长约1600 nm),在1.3μm左右光吸收系数高达104/cmm,比晶硅材料高一两个数量级,因此仅几百纳米的厚度就可以实现对太阳光近红外波段的充分吸收。那么本课题的实施,将为薄膜太阳电池的发展奠定坚实的理论与实验基础,为我国自主研发低成本、可持续、环境友好的薄膜电池开辟一条崭新的途径,具有重要的经济环保价值及社会效益。本课题采用外源等离子体溅射法(HiTUS)制备Mg2Si薄膜