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准一维纳米材料,因其特殊的物理、化学性质在纳米器件、微型传感器和光电子器件等领域具有广泛的应用前景,已逐渐成为纳米科技的研究热点。当前国内外对准一维纳米材料的研究主要集中在两个方面,如何通过简单有效的方法成功制备一维纳米材料,其次探索准一维纳米材料的基本性能,但还都处于初步阶段。Ga_2O_3作为一种特殊的多功能半导体材料,在光学和磁学方面以及半导体领域都受到极大关注,其具有高禁带宽度,介电常数小,电子漂移饱和度高,耐高温,热稳定性好等诸多优良性能,因而成为新一代半导体纳米材料的研究热点。本文通过利