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本文分别采用了氧化还原法和化学气相沉积法在铜金属表面制备石墨烯薄膜，以提高铜合金的耐蚀性。运用XRD、SEM和拉曼光谱等分析了各条件下制得的石墨烯形貌和结构，使用循环伏安法、极化曲线和电化学阻抗谱测试了其抗腐蚀性能。氧化还原法的结果表明，HI、水合肼、H2还原氧化石墨烯薄膜的效率依次降低。其中，HI去除了氧化石墨烯大部分的含氧官能团，所得膜层最薄，但降低了膜层与铜基体的结合力；H2保证了膜层的完整性，但残留的含氧官能团较多，膜层较厚，还原不充分；水合肼还原介于HI和H2两者之间，对膜层破坏较小，研究该条件下试样的抗腐蚀性能最有意义。对水合肼还原的石墨烯薄膜进行电化学测试，结果显示其在一定程度上提高了铜基体的耐蚀性，但效果不显著。气相沉积法的结果表明，随着生长时间的延长，石墨烯的厚度增加，同时缺陷密度也增加。H2是该法制备石墨烯必需的气体，它起到催化甲烷裂解和石墨烯成核的作用。极化曲线表明生长时间为7min的石墨烯薄膜耐蚀性最好，电化学阻抗图谱显示该薄膜使铜基体的抗腐蚀性能提高了17倍。7min条件下制备的石墨烯均匀性和连续性最好，4min的石墨烯虽然厚度薄，但不连续，10min的石墨烯最厚，但晶界缺陷最多。本文最终确定最佳参数工艺为：Ar/CH4/H2流速比600/40/30sccm，温度1000℃，反应时间7min。