【摘 要】
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作为二维材料,MoS2具有优异的光学、电学以及机械性能,而C60是一种优秀的电子传输材料,基于两种材料的优异特性,将MoS2与C60相结合。采用直流磁控溅射法获得前驱体Mo薄膜,然
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作为二维材料,MoS2具有优异的光学、电学以及机械性能,而C60是一种优秀的电子传输材料,基于两种材料的优异特性,将MoS2与C60相结合。采用直流磁控溅射法获得前驱体Mo薄膜,然后采用化学气相沉积法对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,再采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成MoS2/C60薄膜,并且采用真空蒸镀法制备电极得到MoS2场效应管与Au/MoS2/C60/Al结构的异质结器件,主要进行了以下三个方面的研究:（1）制备了不同溅射功率条件下的前驱体Mo薄膜,通过台阶仪测得Mo薄膜厚度,进而通过厚度与时间的比值得到在14.4 W、9.6 W与4.8 W条件下薄膜沉积速率分别约为0.38?/s、0.24?/s与0.15?/s。制备了不同硫化退火温度、时间以及不同前驱体Mo薄膜条件下的MoS2薄膜,利用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、拉曼光谱仪、原子力显微镜对薄膜进行表征,结果表明:经过750℃硫化退火的MoS2晶型为2H型;MoS2薄膜在硫化退火60 min的情况下有良好的结晶性;MoS2薄膜的厚度可以通过控制Mo薄膜的厚度来控制。制备了MoS2场效应管,经测试MoS2场效应管表现出p型场效应管特性。（2）制备了MoS2/C60薄膜,对薄膜的拉曼光谱及光吸收特性进行了测试和表征。研究结果表明:由于在MoS2/C60薄膜之间范德华力的存在,相对于生长在Si/SiO2衬底上,沉积在MoS2上的C60薄膜拉曼特征峰发生红移;MoS2/C60薄膜在可见光范围具有明显的光吸收特性。（3）制备了Au/MoS2/C60/Al结构的异质结器件,异质结表现出良好的整流特性,整流比为215,理想因子为37.5,通过电子导电模型分析得出电子的传输机制包含热电子发射、空间电荷限制电流传导（SCLC）,并且存在遂穿现象。
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