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随着无线通信的迅速发展，数据通信的中心频率提升到GHz以上，而射频滤波器，作为通信系统中信号处理的一个重要部件，越来越引起人们的关注。 体声波谐振器（Film Bulk Acoustic Resonator, FBAR）是一种新型滤波器，相对于介质滤波器和表声波滤波器，具有工作频率高，Q值高，功率容量大，而且与半导体工艺兼容等优点，具有良好的发展前景。 高质量C轴择优取向的AlN薄膜以及FBAR器件制备工艺是FBAR技术的核心部分。本论文主要以AlN薄膜和FBAR器件为研究内容，系统研究了中频磁控反应溅射参数对AlN薄膜质量的影响；并通过材料分析手段分析AlN薄膜；最后通过微细加工工艺制备FBAR器件。具体研究成果如下： 首先，采用中频溅射在Si衬底上制备AlN薄膜，研究了氮分压、靶基距、溅射功率等参数对AlN薄膜质量的影响，实验发现：溅射功率、靶基距、氮分压均对AlN薄膜的C轴择优取向生长显著影响；通过参数优化，在烘烤温度为200℃，气体流量Ar为80 sccm，N2为18 sccm，靶基距为7 cm，功率为2000 W的条件下，分别在Si衬底、PI/Si衬底上制备出高质量C轴择优取向的AlN薄膜。 其次，通过XRD、SEM、AFM、XPS、Raman等材料分析手段分析AlN薄膜。优化条件下制备的AlN薄膜，仅有AlN(002)峰，对其进行Omega扫描得到FWHM为5.7°；SEM断面分析，晶粒为纤维状生长，从底层到表面不断增大；AFM分析，粗糙度(RMS)为8.0 nm；EDS分析，AlN薄膜的铝氮比接近1:1，通过Raman分析AlN薄膜含有E2(high)声子峰和A1(TO)声子峰，E2(high)峰的FWHM为12.8 cm-1，计算得到应力为2.4 GPa。 最后，通过微细加工工艺制备FBAR器件，测试了FBAR器件的电学性能，其电阻率为5.6GΩ·cm，介电常数为11，介电损耗为2.25％，谐振频率为1.82 GHz，S11为-4.3 dB，机电耦合系数为5.4%。