【摘 要】
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三电平逆变器具有输出电压谐波小,等效的斩波频率高和易于实现高压大功率输出等优点,在工业界得到广泛的应用。三电平电路一般有I型和T型两种拓扑,功率器件的损耗在不同运行方式下差异明显,由此,两种电路的运行效率也不相同。随着新型碳化硅功率器件的广泛应用,对高频电力电子电路的损耗计算提出了挑战。本文提出了一种碳化硅功率变换电路的损耗计算方法,对比分析了三电平I型和T型电路在不同工况下的损耗关系,由此总结提
【基金项目】
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高频电力电子技术及应用研究,河北省引进海外高层次人才“百人计划”(E2015100007);
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三电平逆变器具有输出电压谐波小,等效的斩波频率高和易于实现高压大功率输出等优点,在工业界得到广泛的应用。三电平电路一般有I型和T型两种拓扑,功率器件的损耗在不同运行方式下差异明显,由此,两种电路的运行效率也不相同。随着新型碳化硅功率器件的广泛应用,对高频电力电子电路的损耗计算提出了挑战。本文提出了一种碳化硅功率变换电路的损耗计算方法,对比分析了三电平I型和T型电路在不同工况下的损耗关系,由此总结提出了面向高效率的三电平逆变器的拓扑选型依据。介绍了三电平I型和T型电路的拓扑结构,详细分析了两种电路开关器件的各种运行状态,推导出开关器件在各状态下的电流导通机制;而且,对PWM控制方式下器件的导通时间进行了分析与计算,并利用PLECS软件对占空比估算方法的精度进行了仿真验证。传统的IGBT器件的损耗计算需要初始饱和电压,而SiC MOSFET器件手册并未提供该参数。且基于物理模型的方法计算量过大,计算速度慢,不适用于高频工作条件。同时,工程中常将器件开关过程视为线性,并采用对开关电压电流进行积分的方式求开关损耗,此方法过于理想,脱离实际。基于以上问题,本文提出了一种基于SiC MOSFET的三电平电路的损耗计算方法,在考虑死区时间的条件下,通过采样平均值法来计算导通损耗,无需饱和电压。基于SiC MOSFET实际测量的损耗参数,采用多项式与幂函数相结合的方式建立开关损耗模型。利用上述损耗计算模型,以单桥臂电路接阻感负载为例,对I型和T型损耗进行计算和仿真,验证了I型与T型电路损耗的对比关系;继续对三电平电路接有源负载时的损耗进行分析,在不同的负载功率因数、母线电压、负载电流条件下,推导出影响损耗大小关系的实质性因素。由此对三电平大功率逆变器在输出功率因数接近1的工况下,给出了电路选型建议和依据。
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