磷化铟（InP）是一种重要的半导体材料，广泛的应用于高频电路特别是微波毫米波电路领域。InP基的异质结双极晶体管（HBT）由于具有高频性能好、功率密度高以及抗干扰能力强等优点，逐渐成为未来无线通信及光纤通信应用中重要的高频电子器件之一，应用前景广阔。但是其器件模型的发展还未成熟，仍处于探索阶段，本文就对InP HBT器件的大信号模型进行了研究。本文首先对HBT器件的特性进行了研究，研究了HBT大信号等效电路模型的发展，根据InP HBT器件本身的特点，基于SDD技术，建立了基于Agilent HBT模型的修正的InP HBT大信号等效电路模型。文中对模型的改进主要体现在对模型的集电极和基极电流进行了漏电流的修正，使模型更符合器件实际的特点，其次将模型自热网络由二阶RC网络简化为一阶RC网络，一阶的RC网络已经能够很好的描述器件的自热效应，而且简化之后，对模型热阻效应参数的提取更加简便。最后对模型进行了完整的参数提取，并比对仿真结果和测试结果，结果较为满意。