【摘 要】
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大数据时代,信息的处理和存储显得尤为重要。目前,主流的非挥发性存储技术以闪存为主,但其正面临写入电压高、擦写速度慢、能耗高和达到微缩极限等技术瓶颈。新兴存储器如铁电存储器,相变存储器、磁阻存储器和忆阻器等得到广泛研究。其中,忆阻器具有结构简单、高速擦写、特征尺寸小、存储密度高和低功耗等优点,有望取代闪存成为下一代主流非易失性存储器件。论文首先研究以锆掺杂氧化锌作为阻变层的忆阻器。利用溶胶凝胶法制备
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大数据时代,信息的处理和存储显得尤为重要。目前,主流的非挥发性存储技术以闪存为主,但其正面临写入电压高、擦写速度慢、能耗高和达到微缩极限等技术瓶颈。新兴存储器如铁电存储器,相变存储器、磁阻存储器和忆阻器等得到广泛研究。其中,忆阻器具有结构简单、高速擦写、特征尺寸小、存储密度高和低功耗等优点,有望取代闪存成为下一代主流非易失性存储器件。论文首先研究以锆掺杂氧化锌作为阻变层的忆阻器。利用溶胶凝胶法制备FTO/Zr:Zn O/Pt器件,研究表明:当锆元素掺杂含量约为10%时,器件具有典型的双极型阻变性能,且器件的操作电压以及高低阻态的电阻分布的一致性较好。通过改变Set过程限流,器件实现了多级存储功能,由此为忆阻器在高密度存储的应用中提供实验基础。论文重点研究了Hf元素掺杂的Zn O薄膜作阻变层的Ti N/Hf:Zn O/Pt忆阻器。与Ti N/Zn O/Pt器件相比,阻变层有效掺入5.70%的Hf元素后,器件具有稳定的阻变性能以及高达10~8的脉冲耐受性。通过电流拟合机制分析,我们发现Ti N/Zn O/Pt器件在高阻态为空间电荷限制电流机制,而Ti N/Hf:Zn O/Pt器件在高阻态为肖特基发射机制。结合X射线光电子能谱仪得知,Hf元素的掺杂给Zn O阻变层引入更多的非晶格氧空位,从而能够调控氧空位导电细丝型忆阻器的性能。Hf元素掺杂能使氧离子聚集,降低导电细丝在尖端附近形成与断裂的随机性,由此提升器件电阻转变的稳定性。论文进一步研究了插入氮掺杂的超薄铟镓锌氧(IGZO)层的Ti N/IGZO:N/IGZO/Pt器件。与Ti N/IGZO/Pt器件相比,Ti N/IGZO:N/IGZO/Pt器件的电初始化电压明显降低。阻变参数如高低阻态电阻分布、置位电压分布、脉冲耐受性均得到显著改善。我们推断IGZO:N插入层作为一层储氧层,并且氮元素能聚集氧离子,从而使氧空位导电细丝的形成与断裂过程的氧化还原应更容易发生,由此显著提升器件阻变参数的一致性,同时也明显改善了器件的脉冲耐受性。综上所述,论文针对Zn O基忆阻器中的阻变层,运用掺杂改性和双层结构设计等方式来改善器件的电学性能,并深入探究器件的阻变机制。为Zn O基忆阻器的应用提供了实验依据和理论基础,具有重要的科学价值和理论意义。
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