纳米硅/氧化硅体系可见及近红外发光研究

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该论文较系统研究了纳米硅/氧化硅体系可见和近红外发光.得到了一些创新的实验成果.主要有以下几方面:1.每个Au/(SiO<,2>/Si/SiO<,2>)/p-Si二极管和Au/SiO<,2>(4.5nm)/p-Si对比二极管的电致发光谱都可以用两个高斯带分解.2.在Au/(SiO<,2>/Si/SiO<,2>)纳米双势垒/p-Si结构的SiO<,2>层中掺Al可以显著增强电致发光.Al在SiO<,2>中引入了氧空位.从而增强了电致发光.3.对于SiO<,2>:Si:Er系统的饵发光强度,富硅度越大的样品.最佳退火温度越低,富硅度为20﹪并经800°C退火的样品在各种富硅度和退火温度的掺饵富硅氧化硅中光致和电致发光都最强.证实了纳米硅团族不管是否结晶都能够显著增强掺饵氧化硅中Er<3+>的光致和电致发光的强度.4.当SiO<,2>:Er:Si:SiO<,2>:Er结构中的纳米Si层具有适当的厚度时,可以显著增强电致发光和光致发光的强度,从而证实了纳米硅层的存在能够显著增强掺饵氧化硅中Er<3+>的电致和发光的强度.
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