高温固相法合成了掺Eu2+浓度为1 mol%的CaSi2O2N2荧光粉,研究了分别以SiO2、硅粉、Si3N4等不同硅源作为初始原料对最终产物的物相结构及发光性能的影响。发现在1400℃条件下,采用Si O2+Si3N4作为硅源的方式,不能有效的合成单相的CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉。在397 nm激发下,SiO2+Si3N4作为硅源的样品的发射强度最低,Si3N4作为硅源的样品的发射强度最高。二步法是采用Ca2SiO4作为前驱物合成CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉。采用二步法能很好的消除产物中杂相,降低产物的晶体激活能,更容易合成单相的CaSi2O2N2:Eu2+,大大提高产物的发光性能。在540 nm处,二步法得到的样品的发光强度是一步法的2.2倍。CaSi2O2N2:Ce3+在330 nm激发下得到宽波段的发射谱,发射峰位于395 nm,当Ce3+离子浓度的增大时,发射波长出现较显著的红移,猝灭浓度为1 mol%。CaSi2O2N2:Eu2+在397 nm激发下得到峰值位于540 nm的宽波段发射谱,猝灭浓度为1mol%。对于Ca0.99-2xSi2O2N2:xCe3+,xLi+,0.01Eu2+荧光粉,在333 nm激发下,位于395 nm的发射峰十分微弱,其在540 nm有宽带发射,随着Ce3+离子浓度增大,位于540 nm处的Eu2+的特征发射显著增强。对于Ca0.98-ySi2O2N2:0.01Ce3+,0.01Li+,yEu2+荧光粉,在激发光波长为333 nm,Eu2+离子浓度较低时,可以观察到两个发射带,峰值分别位于395 nm及540 nm,随着Eu2+离子浓度增加,位于395 nm的发射强度一直减小,而540 nm处的发射先增强后减弱,猝灭浓度为0.4 mol%。证实了在CaSi2O2N2中Ce3+,Eu2+离子之间发生了能量传递。计算出Ce3+、Eu2+之间能量的传递效率ηT,在Eu2+浓度为1 mol%时ηT趋于饱和,达到97.7%。通过计算得到Ce3+离子与Eu2+离子之间的能量传递的方式是电偶极-电偶极的相互作用。最后本文研究了浓度为1 mol%的La3+/Gd3+/Y3+三价稀土离子共掺对CaSi2O2N2:0.01Eu2+发光性能的优化作用。共掺La3+后,发光强度提高30%,共掺Gd3+之后提高67%,共掺Y3+离子后,发光强度提高60%。