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巨磁阻抗效应(giant magneto-impedance,GMI)作为一种新型的磁效应,具有灵敏度高、响应速度快、非接触式、使用频率广、敏感元件体积小等特点,为开发新型电流传感器提供可能。本文对巨磁阻抗效应理论和Co66Fe4Ni1Si15B14非晶带巨磁阻抗效应进行了详细研究,并设计了一种新型非接触式巨磁阻抗电流传感器,主要内容如下：建立了近横向磁畴结构薄带高频巨磁阻抗效应模型。结合Maxwell电磁场方程和含阻尼项的Landau-Lifshitz方程,推导出带材阻抗与有效磁导率表达式。研究了磁各向异性场及应力等效场动态分量的影响,并分析了相关磁参数及测量方式等对巨磁阻抗效应影响。研究了表面溅射CoFe2O4薄膜层的Co66Fe4Ni1Si15B14非晶薄带GMI效应。实验结果表明：CoFe2O4薄膜层能有效改善Co基非晶带表面粗糙度,提高样品GMI效应。在最佳镀膜工艺条件：功率100W,时间30min,Ar气压0.9Pa下沉积态样品表面粗糙度最小,最大GMI比值58.9%,而制备态样品为39.4%,提高了19.5%。随着样品长度增加,GMI效应增强,当样品长度大于50mm,巨磁阻抗效应增加趋于饱和。研究了等温退火工艺与直流焦耳热退火工艺对材料巨磁阻抗效应影响。等温退火处理最佳工艺为：退火温度300℃,保温时间60min,最佳频率1MHz时最大GMI比值为96.9%。直流焦耳热退火处理最佳工艺为：退火电流密度30A/mm2,退火时间120s,最佳频率1MHz时最大GMI比值为115.2%。设计了一种非接触式巨磁阻抗电流传感器。传感器电路由信号发生电路,前置放大电路,低通滤波电路,峰值检波电路与差动放大电路组成,并对传感器电路参数进行优化设计。测试结果表明：传感器测量范围0-2.4A,灵敏度1.08V/A,线性度±2.09%FS,迟滞0.31%FS,精度±2.11%FS。