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基于有机场效应晶体管的存储器件被广泛应用,是由于其具有容易堆叠大规模集成电路,逻辑信号非破坏性读出以及驻极体材料的溶解度较好等优势。存储器通过驻极体中的驻极体材料来存储电荷,驻极体材料的性质很大程度上决定着存储性能的好坏,所以驻极体材料在OFET存储器中占据着非常重要的地位。在现有驻极体材料中,由于具有丰富的结构灵活性,低成本,溶液可加工性和三维堆叠能力等吸引人的特性,具有电双稳态行为的D-A聚合物基存储器件近来受到相当大的关注,D/A单元的引入,引起分子内电荷转移,使得分子具有良好的存储能力。然而,与聚合物相比,小分子具有明确的分子结构,低成本、简单,可设计性、易于纯化、可重现性、调控电子和结构等特性,因此,有机小分子作为数据存储的研究具有现实意义。而D/A单元的比例、D/A单元处于侧链或主链、D/A单元的排列顺序、D/A单元给电子或吸电子能力的差异等这些因素都能引起存储性能的差异。因此为了探究D/A单元对存储器件性能的影响,本文设计合成了一系列的D-A小分子,以探究不同的存储器件性能。第二章通过Suzuki偶联反应、傅克反应构筑以吸电子基团苯并噻二唑为桥,H型的末端基团接枝富电子芳香基团芴、芴醇、芘等具有给受体单元的H型D-A小分子(H-4F,H-4FOH,H-4Py)。端基接枝给体单元的H型小分子具有较好的发光特性,端基为芴基团的荧光量子效率在薄膜状态下可达0.89,且其溶剂成膜依赖性最小。分子制备的存储器件均表现出非易失特性,写入速度均小于0.02 s,H-4F分子的器件具备双向存储能力,负向存储性能最好,-40V写入,存储窗口为25.0 V,H-4FOH小分子迁移率达1.1 cm2/Vs,开关电流比为5.71×106,H-4Py稳定性最差。第三章通过Suzuki偶联反应、傅克反应、缩合反应等以苯并噻二唑为桥,H型的末端基团接枝醛基吸电子基团的具有给受体单元的对称H型D-A小分子(H-4CHO)。端基接受体单元的H型小分子的发光特性以及热稳定性均低于端基接给体单元的H型小分子端基接受体单元的H型小分子,其HOMO与H-4F能级接近,LUMO能级较H-4F深,带隙变宽,不利于电荷从并五苯隧穿被驻极体捕获,栅极电压为-100 V时,存储窗口为56.78 V,由于分子中受体单元的比例增加,导致电荷进入深陷阱,具有较少的电荷存储位点,不利于电荷存储,存储窗口变小,H-4CHO小分子的存储性能均不理想,但是维持时间可达到104 s。第四章通过傅克反应将H-4FOH分子与苯并噻二唑连接,形成封闭的日字型D-A分子,产率达20%。由于日字型结构的封闭,D-A型格子因为大环结构位阻效应增强,“日”字型小分子薄膜的荧光发射与溶液相比较,发生蓝移。合环后的“日”字型小分子的HOMO能级与未合环的H-4FOH分子相近,LUMO能级变小,有利于电子从并五苯传输,被驻极体捕获。日字型D-A分子制备的器件表现出优异的存储特性,栅极电压为-60 V写入,存储窗口为40.9 V;-80 V写入,存储窗口为59.4 V;-100 V写入,存储窗口为76.5 V,且未达到饱和状态,合环后的格子可以提高电荷的捕获能力,极大提高了存储特性。